半导体中的不可逆热力学和载流子密度涨落

K.M.van Vliet先生
物理学。版次。110,50–1958年4月1日出版

摘要

不可逆热力学的形式主义被应用于半导体中载流子跃迁的动力学。介绍了热力学力、广义电阻和导纳函数。结果表明,使扰动状态回归到平衡状态的热力学力是必须分配给每组载流子的准有限能级的差异;广义电阻只与跃迁速率有关。然后可以用统一的形式写出各种载流子浓度变化率的动力学方程,以便应用Callen和Greene的耗散-波动定理。从导纳矩阵中可以立即找到自发载流子涨落的谱密度矩阵。结果可以用闭合形式表示,这对非简并以及简并半导体都有效。还概述了一种电气网络模拟。该理论明确地应用于有无复合中心的外本征和近本征晶体中的电子噪声。最后,讨论了爱因斯坦关系与先前统计结果的密切联系,以及爱因斯坦关系与扩展的“第页建立了方差定理。

  • 1957年10月10日收到

内政部:https://doi.org/10.1103/PhysRev.110.50

©1958美国物理学会

作者和附属机构

K.M.van Vliet先生

  • 明尼苏达州立大学电气工程系

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第110卷,第。1958年4月1日

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