使用GaAs-HBT兼容、交流耦合、堆叠型基极集电极二极管开关拓扑的3.5-GHz波段低偏流操作0/20-dB阶梯线性化衰减器

山本一弥
宫崎骏
Nobuyuki OGAWA公司
武士妙郎
Teruyuki SHIMURA公司

出版物
IEICE电子交易  第卷。E90-C型  不。7   第页。1515-1523
出版日期：2007/07/01
在线ISSN：1745-1353
内政部：1993年10月10日/ietele/e90-2015年7月7日
打印ISSN：0916-8516
手稿类型：纸张
类别：微波，毫米波
关键词：
无线局域网,  衰减器,  二极管,  异质结双极晶体管,  线性,  互调失真,  线性化,  单片微波集成电路,  

全文：PDF格式（1.1MB）>>
购买此文章


总结：
本文描述了两种不同类型的GaAs-HBT兼容基极-集电极二极管0/20-dB阶跃衰减器——二极管-线性化器型和谐波捕捉型——用于3.5-GHz频段无线应用。这两个衰减器使用交流耦合、堆叠型二极管开关拓扑，具有高功率处理能力和低偏置电流操作。与传统的二极管开关拓扑相比，该拓扑可以在相同的偏置电流下提高6dB以上的容量。此外，成功地将并联二极管线性化器和第二和第三谐波陷阱结合到衰减器中，即使在IM3失真水平基本上容易降低的20 dB衰减模式下，在16 dBm到18 dBm的高功率范围内，IM3失真也提高了7 dB以上。测量结果表明，这两种衰减器都能提供功率处理能力（P0.2分贝)在18dBm输入功率下，IM3电平小于-35dBc，同时在直通和衰减模式下从0/5V互补电源汲取3.8mA和6.8mA的低偏置电流。直通模式下线性型和谐波陷波型衰减器的实测插入损耗分别低至1.4 dB和2.5 dB。