对于具有正型有界对势的环面上的齐次玻色气体,该定理已经在2017年的博士论文(参考文献。14,定理3.1)。在本注释中,我们给出了基本上相同的证明,尽管有些简化,并更正了两个小错误。对囚禁玻色气体和排斥库仑势的推广只需要很小的修改。如参考文献所示。14,该表述可以推广到激发的低能本征态H(H)N个但为了简洁起见,我们只讨论基态。
参考文献。4,在类似假设下获得了相关结果。作者导出了形式激励次数的高阶矩界为所有人具有未指定的常量Cn个[用于v(v)他们证明了对一些人来说C> 0]. 定理1.1直接意味着Cn个≤Cn个n个! 对一些人来说C> 0. 参考文献。4,利用高阶矩界获得了基态能量的渐近级数H(H)N个逆幂(N个− 1)−1.我们的边界Cn个因此,可能与确定该渐近级数的某些恢复性质(如Borel可和性)有关,参见参考文献。4(备注3.5)。
最近,Nam和Rademacher17通过延长P(P)N个(ℓ)稀释玻色气体。他们考虑单位圆环上具有对势的均匀玻色气体v(v)(x个) =N个三βv(v)(N个βx个),β∈[0,1],对于非负紧支撑v(v)∈L(左)三([0, 1]). 这尤其包括与实际最相关的格罗斯-皮塔耶夫斯基政权β= 1. 他们的结果表明,对于每个低能本征函数,作为N个→∞对一些人来说κ>0,其中是计算冷凝液外部粒子数的运算符。自,这证明了(1.4)用于稀释玻色气体。形式的较高矩界,,已在参考文献。2.
最后,让我们提到与以下观测值略有不同的指数界限最近也在大偏差的背景下进行了研究7、20、21[另见参考。17(备注1.3)]。
定理证明1.1的关键思想是表明P(P)N个(ℓ)满足形式不等式P(P)N个(ℓ+ 2) +P(P)N个(ℓ− 2) − 2P(P)N个(ℓ) ≥σPN个(ℓ)对一些人来说σ> 0. 为了得到这样一个界,我们取基态本征值方程的标量乘积利用双体电位H(H)N个减去平均场贡献后,有效地作为离散二阶导数ℓ为了说明这个想法的简单性,我们在第。II B类.