对块体黑磷(直接带隙为~0.3 eV的层状半导体材料)在热电应用中的潜力进行了实验研究。塞贝克系数(S公司)在300 K至385 K的温度范围内进行测量,得出的值为S公司 = +335 ± 10 μ室温下的V/K(表示自然发生的p型电导率)。S公司正如p型半导体所预期的那样,随着温度的升高,这可以归因于载流子密度的增加。在所研究的温度范围内加热时,电阻下降到40%。因此,385 K下的功率因数是室温下的2.7倍。这项工作表明了黑磷在热电应用中的潜在用途,例如热能净化,这通常需要在接近室温的温度下具有高性能的设备。

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