黑磷表现出类似石墨烯的层状结构,允许超薄单晶的机械剥离。在这里,我们展示了Si/SiO上的多层黑磷场效应器件2以及测量四探针配置中的电荷载流子迁移率以及两点配置中的漏电流调制。我们发现室温下的流动性高达300厘米2/Vs和漏极电流调制超过10.在低温下,开关比超过105该器件同时具有电子和空穴传导特性。使用原子力显微镜,我们观察到薄的黑磷晶体在剥落后1小时内表面显著粗糙。

1
英国标准。
诺沃肖洛夫
D。
F、。
谢丁
T·J。
展位
五、五。
科特基维奇
S.V.公司。
莫罗佐夫
、和
答:K。
海姆
程序。国家。阿卡德。科学。美国。
102
10451
(
2005
).
2
美国。
成田
年。
阿卡哈马
年。
筑山
英国。
穆罗
美国。
森喜朗
美国。
Endo公司
米。
谷口
米。
塞基
美国。
苏加
答:。
米库尼
、和
H。
Kanzaki公司
物理B+C
117
422
(
1983
).
三。
米。
爸爸
年。
中村
年。
塔克达
英国。
柴田
答:。
森田
年。
小池
、和
T。
深濑
《物理学杂志》。康登斯。物质
4
1535
(
1992
).
4
年。
丸山
美国。
铃木
英国。
小林
、和
美国。
塔努玛
物理B+C
105
99
(
1981
).
5
D。
瓦绍尔
J.应用。物理学。
34
1853
(
1963
).
6
A.S.公司。
罗丹
答:。
卡瓦略
、和
A.H.C.公司。
内托
,电子打印arXiv:1401.1801。
8
H。
川村
一、。
白谷
、和
英国。
塔奇卡瓦
固态通讯。
49
879
(
1984
).
9
J。
维蒂格
B.T.公司。
马提亚斯
科学
160
994
(
1968
).
10
年。
敬雄
答:。
森田
物理B+C
105
93
(
1981
).
11
R。
Keyes公司
物理学。版次。
92
580
(
1953
).
12
年。
C、。
欧阳
美国。
、和
米。
J.应用。物理学。
107
093718
(
2010
).
13
B。
Radiavljevic公司
答:。
拉德诺维奇
J。
布里维奥
五、。
贾科梅蒂
、和
答:。
基斯
自然纳米技术。
6
147
(
2011
).
14
C.D.公司。
J.C.公司。
西。
年。
L.W.公司。
线路接口单元
H。
W.D.公司。
S.X公司。
法律。
太阳
、和
H·J。
《物理学杂志》。化学。C类
113
18823
(
2009
).
15
答:。
棕色
美国。
伦德奎斯特
《水晶学报》。
19
684
(
1965
).
16
L。
卡茨
S.R.公司。
斯里尼瓦萨
R·J。
里德纳
J·D·。
约根森
、和
T.G.公司。
沃尔顿
化学杂志。物理学。
71
1718
(
1979
).
17
H。
Asahina公司
英国。
新都
、和
答:。
森田
《物理学杂志》。Soc.Jpn.公司。
51
1193
(
1982
).
18
英国标准。
诺沃肖洛夫
A.好的。
海姆
S.V.公司。
莫罗佐夫
D。
年。
S.V.公司。
杜博诺斯
I.V.公司。
格里戈里耶娃
、和
答:A。
费尔索夫
科学
306
666
(
2004
).
19
C、。
伯杰
Z.M.公司。
歌曲
T.B.公司。
十、B。
A.年。
奥格巴兹吉
R。
Z.T.公司。
A.编号。
马尔琴科夫
E.H.公司。
康拉德
邮政编码:。
弗斯特
、和
水务局。
德黑尔
《物理学杂志》。化学。B类
108
19912
(
2004
).
20
黑磷晶体购自Smart-elements.com。
21
年。
阿卡哈马
米。
小林寺
、和
H。
川村
固态通讯。
104
311
(
1997
).
22
L.-Q.公司。
太阳
M.-J.医学博士。
英国。
太阳
S.-H.公司。
右-右。
、和
高-中。
《物理学杂志》。化学。C类
116
14772
(
2012
).
23
美国。
阿巴拉孔戴亚
G.公司。
瓦西斯瓦兰
美国。
勒贝格
不适用。
克里斯滕森
、和
答:。
斯瓦内
物理学。版本B
86
035105
(
2012
).
24
C、。
范德堡
D。
席费尔
物理学。版本B
40
9595
(
1989
).
25
美国。
须贺院
一、。
白谷
固态通讯。
53
753
(
1985
).
26
T。
西溪
年。
丸山
T。
伊纳贝
、和
一、。
白谷
合成。遇见。
18
559
(
1987
).
27
P.W.公司。
布里奇曼
美国化学杂志。Soc公司。
36
1344
(
1914
).
28
J。
Knoch公司
米。
J。
阿彭策勒
、和
美国。
曼特尔
申请。物理学。A类
87
351
(
2007
).
29
阈值电压取为V(V)在其中标准偏差等于10−9答:。
30
H。
年。
C、。
J。
、和
T。
美国化学会纳米
4
7221
(
2010
).
31
D.J.博士。
迟到
B。
线路接口单元
H.S.S.R.公司。
磨砂
副总裁。
德拉维
、和
C.N.R.公司。
美国化学会纳米
6
5635
(
2012
).
32
答:。
维利古拉
第J页。
邹么
国际期刊。
维拉·马伦
C、。
约兹萨
P.I.公司。
戈尔迪丘克
、和
B.J.公司。
范·韦斯
J.应用。物理学。
110
113708
(
2011
).
33
J。
十、。
香港
Z.-X公司。
F、。
、和
西。
,电子打印arXiv:1401.5045.
34
美国。
达斯
J。
阿彭策勒
申请。物理学。莱特。
103
103501
(
2013
).
35
美国。
加塔克
A.编号。
朋友
、和
答:。
高希
美国化学会纳米
5
7707
(
2011
).
36
答:。
森田
申请。物理学。A类
39
227
(
1986
).
37
F、。
H。
、和
年。
,电子打印arXiv:1402.0270.
38
L。
年。
G·J。
Ye(是)
问:。
Ge公司
十、。
欧点
H。
D。
X·H。
、和
年。
,电子打印arXiv:1401.4117.
39
H。
线路接口单元
A.T.公司。
尼尔
Z.公司。
D。
托马内克
、和
P.D.公司。
Ye(是)
,电子打印arXiv:1401.4133.
您当前无权访问此内容。