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研究论文

CNFET7:用于7nm CNFET技术的开源单元库

出版:2023年1月31日出版历史

摘要

在本文中,我们提出了第一个用于7-nm碳纳米管场效应晶体管(CNFET)技术的开源单元库CNFET7。CNFET7基于一个名为VS-CNFET的开源CNFET SPICE模型,并对各种模型参数(如通道宽度和碳纳米管直径)进行了仔细调整,以模拟发表论文中提出的预测性7-nm CNFET技术。一些非公开参数,如单元尺寸和引脚布局,是从NanGate 15-nm开源单元库中导出的,其方法与CNFET电路设计的开源框架相同。CNFET7包括两种延迟模型(即复合电流源和非线性延迟模型),每种模型有56个单元,例如INV_X1和BUF_X1。CNFET7支持Cadence设计流中的逻辑合成和计时驱动的位置和路径。我们对几种合成电路的实验结果表明,与ASAP7相比,CNFET7在动态和静态功耗以及关键路径延迟方面分别降低了96%、62%和82%。

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  1. CNFET7:7-nm CNFET技术的开源细胞库

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          封面图片ACM会议
          ASPDAC’23:第28届亚洲和南太平洋设计自动化会议记录
          2023年1月
          807页
          国际标准图书编号:9781450397834
          DOI(操作界面):10.1145/3566097

          版权所有©2023 ACM

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          • 出版:2023年1月31日

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