. . . . . “Yogesh Kumar等人：ENDURA:增强基于多级单元STT-RAM的非易失性存储器末级缓存的耐久性。（2022）”。 . . _：ID_a8a473777ac4f8d28899af8dc0714d91。_：ID_a8a473777ac4f8d28899af8dc0714d91 ._：识别号_a8a473777ac4f8d28899af8dc0714d91 ._：ID_a8a473777ac4f8d28899af8dc0714d91“conf/vlsi/KumarSJ22”。 _：ID_6c0b7920490bcc15c2b8ab9f9cc98203。_：ID_6c0b7920490bcc15c2b8ab9f9cc98203 ._：ID_6c0b7920490bcc15c2b8ab9f9cc98203 ._：ID_6c0b7920490bcc15c2b8ab9f9cc98203“10.1109/VLSI-SOC54400.2022.9939583”。 “耐久性：增强基于多级单元STT-RAM的非易失性内存末级缓存的耐久性。”。 . . . . "3"^^. _：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1“Yogesh Kumar”。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1"1"^^._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_1 . _：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2“S.Sivakumar”。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2"2"^^._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_2 . _：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6dde45d194d_3。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6添加45d194d_3 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6添加45d194d_3“约翰·何塞”。_：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6添加45d194d_3 ._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6添加45d194d_3"3"^^._：Sig_46f39ac79eb0c48e26e8d6添加45d194d_3 . . . . “1-6”。 “VLSI-SoC”。 “VLSI-SoC”。 "2022"^^. "2022"^^. . “dblp记录‘conf/vlsi/KumarSJ22’的RDF数据的来源信息”。 . . . “2022-11-14T17:06:23+0100”。