Chinmayee Hazarika等人：由于H+离子渗入氧化层，在ISFET中观察到长期漂移。(2019) conf/premi/HazarikaNS19 10.1007/978-3-030-34872-4_60 由于H+离子渗透到氧化层中，在ISFET中观察到长期漂移。 三 奇马耶·哈扎里卡 1 苏扬·内鲁拉 2 桑塔努·夏尔马 三 543-553 PReMI（2） PReMI（2） 2019 2019 dblp记录“conf/premi/HazarikaNS19”的RDF数据的来源信息 2019-11-28T16:32:38+0100