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Hsu，Po-Chun（Brent）等，“N型In0.53Ga0.47As中扩展缺陷的带状和局域状态”应用物理学杂志，第124卷，第16期，2018年，doi:10.1063/1.5046827。
- 亚太地区
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Hsu，P.-C.（Brent），Simoen，E.，Merckling，C.，Eneman，G.，Mols，Y.，Alian，A.，…Heyns，M.（2018年）。n型In0.53Ga0.47As中扩展缺陷的带状和局域态。应用物理学杂志,124(16). https://doi.org/10.1063/1.5046827
- 芝加哥作者日期
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徐、波春（布伦特）、埃迪·西蒙、克莱门特·默克林、吉尔特·埃内曼、伊夫·莫尔斯、阿里雷扎·阿利安、罗伯特·兰格、纳丁·科勒特和马克·海恩斯。2018.“N型In0.53Ga0.47As扩展缺陷的带状和局域状态”应用物理学杂志124 (16). https://doi.org/10.1063/1.5046827。
- 芝加哥作者日期（所有作者）
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徐、波春（布伦特）、埃迪·西蒙、克莱门特·默克林、吉尔特·埃内曼、伊夫·莫尔斯、阿里雷扎·阿利安、罗伯特·兰格、纳丁·科勒特和马克·海恩斯。2018.“N型In0.53Ga0.47As扩展缺陷的带状和局域状态”应用物理学杂志124 (16). doi:10.1063/1.5046827。
- 温哥华
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Hsu P-C（Brent）、Simoen E、Merckling C、Eneman G、Mols Y、Alian A等。n型In0.53Ga0.47As中扩展缺陷的带状和局部状态。应用物理学杂志。2018;124(16).
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P.-C.（布伦特）Hsu等。，“n型In0.53Ga0.47As中扩展缺陷的带状和局域状态”应用物理学杂志，第124卷，第16期，2018年。
@第{8579662条，文摘={{In0.53Ga0.47As p+n二极管具有不同密度的扩展缺陷，通过详细的结构和电学表征对其进行了分析通过在半绝缘InP或GaAs衬底上使用晶格失配层来生长。用高分辨率X射线衍射法测定了n型In0.53Ga0.47As层中的残余应变和铟含量，显示应变几乎为零，铟比为0.53。用深能级瞬态光谱表征了该层的深能级。低于导带最小E-C 0.17+/-0.03 eV的电子陷阱平均值被指定为α60度失配位错的“局域”状态；另一个平均活化能在E-C-0.17+/-0.01和0.39+/-0.04 eV之间的宽电子陷阱被确定为具有“带状”状态的穿脱位错段。当改变填充脉冲时间时，发现后者的指数前因子K-T有7个数量级的高变化，这可以解释为III-V材料中分裂位错核心中的类受主态和类施主态共存。此外，E-V+0.42+/-0.01和E-V+0.26+/-0.13eV处的两个空穴陷阱分别与Ga（In）空位（V-Ga/In（3-/2-））和60度β失配位错的双受主有关。最后，讨论了n型In0.53Ga0.47As.}}、，articleno={{165707}}，作者={{Hsu、Po-Chun（Brent）和Simoen、Eddy和Merckling、Clement和Eneman、Geert和Mols、Yves和Alian、AliReza和Langer、Robert和Collert、Nadine和Heyns、Marc}}，issn={{0021-8979}}，journal={{应用物理学杂志}}，keywords={{LEVEL瞬态光谱、分子束外延、FE受体能级、错配错位、INGAAS/GAAS异质结构、电特性、电子态、镓砷化物、深中心、GAAS}}，语言={{eng}}，数字={{16}}，页面={{13}}，title={{n型In0.53Ga0.47As}}中扩展缺陷的带状和局域态，url={{http://doi.org/10.1063/1.5046827}},体积={{124}}，年份={2018年}，}
