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纪尧姆·阿克 ( 根特大学 ) , 索菲·范·达姆 ( 根特大学 ) , 雷姆科·哈维尼特 ( 根特大学 ) 和 帕特里克·巴尔廷克 ( 根特大学 ) 组织 关键词 多环芳香烃 , 独立化学位移 , 磁性 , 屏蔽密度 , 环形电流 , 电子脱金属 , 本地 , 芳香性 , 六元杂环 , 定量概念 , 响应 , 属性 , 苯分子 , NICSzz公司 , NICSDzz公司 , 屏蔽密度场
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Acke，Guillaume等人，“通过解析轨道、符号和位置来解释NICSzz的行为。” 计算化学杂志 ，第39卷，第9期，2018年，第511-19页，doi:10.1002/jcc.25095。 亚太地区 -
Acke，G.、Van Damme，S.、Havenith，R.和Bultink，P.（2018年）。 通过解析轨道、符号和位置来解释NICSzz的行为。 计算化学杂志 , 39 (9), 511–519. https://doi.org/10.1002/jcc.25095 芝加哥作者日期 -
Acke、Guillaume、Sofie Van Damme、Remco Havenith和Patrick Bultick。 2018年，“通过轨道、标志和位置解析NICSzz的行为。” 计算化学杂志 39 (9): 511–19. https://doi.org/10.1002/jcc.25095。 芝加哥作者日期（所有作者） -
Acke、Guillaume、Sofie Van Damme、Remco Havenith和Patrick Bultick。 2018年，“通过轨道、标志和位置解析NICSzz的行为。” 计算化学杂志 39 (9): 511–519. doi:10.1002/jcc.25095。 温哥华 -
1 Acke G、Van Damme S、Havenith R、Bultink P。通过解析轨道、符号和位置来解释NICSzz的行为。 计算化学杂志。 2018; 39(9):511–9. 电气与电子工程师协会 -
[1] G.Acke、S.Van Damme、R.Havenith和P.Bultink，“通过解析轨道、符号和位置来解释NICSzz的行为，” 计算化学杂志 ，第39卷，第9期，第511-519页，2018年。
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