{“id”：“https://openalex.org/W2011958759“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2013.6818839“，”title“：“硅上超薄体和BOX InGaAs MOSFET的可扩展性”，”display_name“：”硅上超瘦体和BOX-InGaAs-MOSFET的扩展性“，”publication_year“：2013，”publitation_date“：”2013-09-01“，”ids“：{”openalex“：”https://openalex.org/W2011958759“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2013.6818839“，”mag“：”2011958759“}，”language“：”en“，”primary_location“：{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/essderc.2013.6818839“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null'，”licence_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}，”type“：”article“，”type_crossref“：“procesdings-article”，”indexed_in“：[”crossref“]，”open_access“：{”is_oa“：false，”oa_status“：”closed“，”oa_url”：null“，”any_repository_has_fulltext“：false}”，”authorships“：[{”author_position“：”first“，”作者“：{”id“：”https://openalex.org/A5078239385“，”display_name“：”Lukas Czornomaz“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-239-6961“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”L.Czornomaz“，”raw _ afiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5011608536“，”display_name“：”N.Daix“，”orcid“：null｝，”institutions“：[｛”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”N.Daix“，”raw _affiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，“affiliations”：[{“raw_affilition_string”：“IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5084355371“，”display_name“：”Pranta Kerber“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”P.Kerber“，”raw _affiliation_strings“：[“IBM T.J.Watson Research Center，1102 Kitchawan Rd.，Yorktown Heights，NY 10598，USA”]，“afliations”：[{“raw_affiliation _string”：“IBM T.J Watson研究中心，1102 Kitchawan Rod.，Yor town Heightshttps://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5075031205“，”display_name“：”Kevin Lister“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”K.Lister“，”raw _ afiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，”从属关系“：[{”raw _affiliation_string“：”IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5067104396“，”display_name“：”Daniele Caimi“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”D.Caimi“，”raw _ afiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，”从属关系“：[{”raw _affiliation_string“：”IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5020821650“，”display_name“：”C.Rossel“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”C.Rossel“，”raw _affiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，“affiliations”：[{“raw_affilition_string”：“IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，瑞士”，“机构ID”：[https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5082878452“，”display_name“：”M.Sousa“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-8480-2841“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”M.Sousa“，”raw _affiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，“affiliations”：[{“raw_affilition_string”：“IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]｝]｝，｛”author_position“：”middle“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5071359261“，”display_name“：”Emanuele Uccelli“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”E.Uccelli“，”raw _ afiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，”从属关系“：[{”raw _affiliation_string“：”IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]}，{”author_position“：”last“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5074033253“，”display_name“：”J.Fompeyrine“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-3528-4758“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I1341412227“，”display_name“：”IBM（美国）“，”ror“：”https://ror.org/05hh8d621“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”J.Fompeyrine“，”raw _ afiliation_strings“：[“IBM Research GmbH，Zurich Research Laboratory，S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon，Switzerland”]，”从属关系“：[{”raw _affiliation_string“：”IBM Research GmbH，苏黎世研究实验室，瑞士S\u00e4umerstrasse 48803 R\u00fcschlikon“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I1341412227“]}]}]，”countries_distinct_count“：1，”institutions_disting_count”：1，“corresponding_author_ids”：[]，”correspounding_institution_ids“：[]、”apc_list“：null，”apc_payed“：nul，”fwci“：3.657，”has_fulltext“：true，”fulltext_origin“：”ngrams“，”cited_by_count：20，”citation_normalized_percentile“：{”value“：0.875992，”is_in_top_1_perce nt“：false，”is_in_top_10_percent“：false}，”cited_by_percentile_year“：{”min“：90，”max“：91}，“biblio”：{“volume”：null，“issue”：nul，“first_page”：null，“last_page”：null}，《is_retracted》：false，“is_paratext”：false、“primary_topic”：{“id”：“https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：0.9999，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，”主题“：[{”id“：”https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：0.9999，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10558“，”display_name“：”纳米电子学和晶体管“，”score“：0.9998，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T12588“，”“display_name”：“氧化物界面上的紧急现象”，“score”：0.9984，“subfield”：{“id”：“https://openalex.org/subfields/2505“，”display_name“：”材料化学“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/25“，”display_name“：”材料科学“}，”域“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}]，”关键词“：[{”id“：”https://openalex.org/keywords/cmos-scaling（https://openalex.org/keywords/cmos-scaling）“，”display_name“：”CMOS缩放“，”score“：0.5239}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/metal-gate-transistors网站“，”display_name“：”金属栅极晶体管“，”score“：0.518259｝，｛”id“：”https://openalex.org/keywords/双网关晶体管“，”display_name“：”双栅晶体管“，”score“：0.515313}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/hig-performance-nanoscale-devices（https://openalex.org/关键词/高性能-nanoscape-devices/设备）“，”display_name“：”高性能纳米器件“，”score“：0.512962}]，”concepts“：[{”id“：”https://openalex.org/C48044578，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q727490“，”display_name“：”可伸缩性“，”level“：2，”score“：0.72218084}，{”id“：”https://openalex.org/C49040817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q193091网址“，”display_name“：”光电子“，”level“：1，”score“：0.6408255}，{”id“：”https://openalex.org/C192562407，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q228736“，”display_name“：”材料科学“，”level“：0，”score“：0.62237906}，{”id“：”https://openalex.org/C544956773，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q670“，”display_name“：”Silicon“，”level“：2，”score“：0.61466146}，{”id“：”https://openalex.org/C2778413303，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q210793“，”display_name“：”MOSFET“，”level“：4，”score“：0.49983883}，{”id“：”https://openalex.org/C41008148，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q21198“，”display_name“：”计算机科学“，”level“：0，”score“：0.40025568}，{”id“：”https://openalex.org/C24326235，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q126095“，”display_name“：”电子工程“，”level“：1，”score“：0.32286137}，{”id“：”https://openalex.org/C119599485，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q43035“，”display_name“：”电气工程“，”level“：1，”score“：0.24585906}，{”id“：”https://openalex.org/C172385210，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q5339“，”display_name“：”Transistor“，”level“：3，”score“：0.16006911}，｛”id“：”https://openalex.org/C127413603，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q11023“，”display_name“：”Engineering“，”level“：0，”score“：0.13009965}，{”id“：”https://openalex.org/C111919701，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q9135“，”display_name“：”操作系统“，”level“：1，”score“：0.07133216}，{”id“：”https://openalex.org/C165801399，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q25428“，”display_name“：”Voltage“，”level“：2，”score“：0.06908387}]，”mesh“：[]，”locations_count“：1，”location“：[{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/essderc.2013.6818839“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null:”license_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}]，”best_oa_location“：nul，”sustainable_development_goals“：[]，”grants“：[]，”datasets“：]，”versions“：[]:”，“referenced_works_count”：7，“referrenced_works”：[”https://openalex.org/W1983093604","https://openalex.org/W2005306611","https://openalex.org/W2026207815","https://openalex.org/W2035666869","https://openalex.org/W2039261462","https://openalex.org/W2091761380","https://openalex.org/W2116032832“]，”related_works“：[”https://openalex.org/W2899084033","https://openalex.org/W2461970972","https://openalex.org/W2388030554","https://openalex.org/W2382623646","https://openalex.org/W2364921833","https://openalex.org/W2302028273","https://openalex.org/W1976363619","https://openalex.org/W1597381735","https://openalex.org/W1527726406","https://openalex.org/W1525643724“]，”ngrams_url“：”https://api.openalex.org/works/W2011958759/ngrams网站“，”abstract_inverted_index“：{”In“：[0]，”this“：[1]，”work“：[2]，”we“：[3]，”show“：[4]，”for“：[5,62,96]，”the“：[6,43,83]，”first“：[7]，”time“：[8]，”that“：[9]，”VLSI-like“：[10]，”gate-first“：[11]，”self-ligned“：[12]，”InGaAs“：[13,51]，”MOSFET“：[14]，“开”：[15,17,52]，“绝缘体”：[16,53]，“硅”：[18]，“特征”：[19]，“凸起”：[20]，“源/漏”：[21]，“（SID）”：[22]，“can“：[23,55]，”be“：[24,56]，”fasted“：[25]，”at“：[26]，”300“：[27]，”nm“：[28]，”pitch“：[29]，”with“：[30]，”gate“：[31]，”length“：[32]，”down“：[33,72]，”to“：[34,42,73,82,93104]，”24“：[35]，”nm。“：[36]，”这“：[37]，”是“：[38]，”制造“：[39]，”可能“：[40]，”谢谢“：[41]，”极好“：[44,69]，”热“：[45]，”稳定性“：[46]，”的“：[47]，”超薄体“：[48]，”和“：[49,99]，”盒子“：[50]，”其中“：[54]，”使用“：[57]，”作为“：[58]，”a“：[59]，”结晶“：[60]，“种子”：[61]，“III-V”：[63]，“再生。“：[64]，”The“：[65]，”devices“：[66]，”exhibit“：[67]，”an“：[68]，”静电“：[70,94]，”integrity“：[71]，”L“：[74107]，”G公司“：[77110]，”=“：[78]，”34“：[79]，”nm“：[80]，”可比“：[81]，”最佳“：[84]，”报告“：[85]，”三门“：[86]，”设备。“：[87]，“我们”：[88]，“比较”：[89]，“实验”：[90]，“设备”：[91]，“数据”：[92]，“模拟”：[95]，“大块/非绝缘体/三门”：[97]，“结构”：[98]，“推断”：[100]，“它们的”：[101]，“极限”：[102]，“可扩展性”：[103]，“非常”：[105]，“短”：[106]，“。“：[111]}，”cited_by_api_url“：”https://api.openalex.org/works？filter=cites:W2011958759“，”“counts_by_year”：[{“年份”：2021，”“cited_by_count”：2}，{“年度”：2019，”“cited_by_cunt”：2]、{“年”：2018、”“cited_by-count”“：3}，”“年”“：2017，”“cited_by-cunt”“:2}、”“年份”“：2016，”“icted_by/count”d_date“：”2024-08-20T01:23:43.824832“，”创建日期“：”2016-06-24“}