{“id”：“https://openalex.org/W2987009625“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2019.8901703“，”title“：“p型LDMOS晶体管中热电子注入的TCAD预测”，”display_name“：”p型LDMOS晶体管中热电荷注入的TCAD预测“，”publication_year“：2019，”publiction_date“：”2019-09-01“，”ids“：{”openalex“：”https://openalex.org/W2987009625“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2019.8901703“，”mag“：”2987009625“}，”language“：”en“，”primary_location“：{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.1109/essderc.2019.8901703“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null'，”licence_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}，”type“：”article“，”type_crossref“：“procesdings-article”，”indexed_in“：[”crossref“]，”open_access“：{”is_oa“：false，”oa_status“：”closed“，”oa_url”：null“，”any_repository_has_fulltext“：false}”，”authorships“：[{”author_position“：”first“，”作者“：{”id“：”https://openalex.org/A5051781924“，”display_name“：”Federico Giuliano“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-8867-383X“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”F.Giuliano“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES和DEI，意大利博洛尼亚博洛尼亚大学”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and DEI，博洛尼亚，意大利博罗尼亚大学”，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5024452322“，”display_name“：”Riccardo Depetro“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-9419-9203“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I4210154781“，”display_name“：”STMicroelectronics（意大利）“，”ror“：”https://ror.org/053bqv655“，”country_code“：”IT“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I131827901","https://openalex.org/I4210154781“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”R.Depetro“，”raw _affiliation_strings“：[“技术研发，STMicroelectronics，Agrate Brianza，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”技术研发，ST Microelectrics，Agrate-Briangsa，Italy'，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I4210154781“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5036610224“，”display_name“：”Giuseppe Croce“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0003-0115-7096“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I4210154781“，”display_name“：”STMicroelectronics（意大利）“，”ror“：”https://ror.org/053bqv655“，”country_code“：”IT“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I131827901","https://openalex.org/I4210154781“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”G.Croce“，”raw _affiliation_strings“：[“技术研发，STMicroelectronics，Agrate Brianza，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”技术研发，ST Microelectrics，Agrate-Briangsa，Itali“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I4210154781“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5062495445“，”display_name“：”Andrea Natale Tallarico“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0003-1838-3276“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”网址：https://ror.org/01111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”A.N.Tallarico“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES and DEI，University of Bologna，Cesena，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and-DEI，Universition of Bologna-Cesena，Itary“，institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5031723360“，”display_name“：”Susanna Reggiani“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-9616-8558“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”S.Reggiani“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES和DEI，意大利博洛尼亚博洛尼亚大学”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and DEI，博洛尼亚，意大利博罗尼亚大学”，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5083737379“，”display_name“：”A.Gnudi“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-2186-3468“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”A.Gnudi“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES和DEI，意大利博洛尼亚博洛尼亚大学”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and DEI，博洛尼亚，意大利博罗尼亚大学”，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5041741378“，”display_name“：”E.Sangiorgi“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-7137-5852“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”E.Sangiorgi“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES and DEI，University of Bologna，Cesena，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and-DEI，Universition of Bologna-Cesena，Itary“，institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5040318538“，”display_name“：”C.Fiegna“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-7184-6570“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”C.Fiegna“，”raw _affiliation_strings“：[“ARCES and DEI，University of Bologna，Cesena，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and-DEI，Universition of Bologna-Cesena，Itary“，institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5040987353“，”display_name“：”Mattia Rossetti“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-9280-5970“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I4210154781“，”display_name“：”STMicroelectronics（意大利）“，”ror“：”https://ror.org/053bqv655“，”country_code“：”IT“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I131827901","https://openalex.org/I4210154781“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”M.Rossetti“，”raw _affiliation_strings“：[“技术研发，STMicroelectronics，Agrate Brianza，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”技术研发，ST Microelectrics，Agrate-Briangsa，Italy'，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I4210154781“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5057094193“，”display_name“：”A.Molfese“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I4210154781“，”display_name“：”STMicroelectronics（意大利）“，”ror“：”https://ror.org/053bqv655“，”country_code“：”IT“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I131827901","https://openalex.org/I4210154781“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”A.Molfese“，”raw _affiliation_strings“：[“技术研发，STMicroelectronics，Agrate Brianza，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”技术研发，ST Microelectrics，Agrate-Briangsa，Italy'，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I4210154781“]}]}，{”author_position“：”last“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5042601047“，”display_name“：”Stefano Manzini“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-1232-2635“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I4210154781“，”display_name“：”STMicroelectronics（意大利）“，”ror“：”https://ror.org/053bqv655“，”country_code“：”IT“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I131827901","https://openalex.org/I4210154781“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”S.Manzini“，”raw _affiliation_strings“：[“技术研发，STMicroelectronics，Agrate Brianza，Italy”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”技术研发，ST Microelectrics，Agrate-Briangsa，Italy'，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I4210154781“]}]}]，”countries_distinct_count“：1，”institutions_disting_count”：2，”corresponding_author_ids“：[]，”corresponding_institution_ids”：[]“apc_list”：null，”apc_payed“：null”，“fwci”：0.763，”has_fulltext“：false，”cited_by_count nt“：false}，”cited_by_percentile_year“：{“min”：80，“max”：82}，“biblio”：{”volume“：null，”issue“：nul，”first_page“：null，”last_page“：null}，”is_retracted“：false，”is_paratext“：false，”primary_topic“：”{“id”：“https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，”主题“：[{”id“：”https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T12495“，”“display_name”：“集成电路中的静电放电保护”，“score”：0.9999，“subfield”：{“id”：“https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10558“，”display_name“：”纳米电子学和晶体管“，”score“：0.9999，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}]，”关键词“：[{”id“：”https://openalex.org/keywords/ldmos“，”display_name“：”LDMOS“，”score“：0.94949085}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/impact-ionization网站“，”display_name“：”碰撞电离“，”score“：0.7312959}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/hot-carrier-injection网站“，”display_name“：”热载波注入“，”score“：0.5801312}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/tlp-校准“，”display_name“：”TLP校准“，”score“：0.561642}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/ldmos设计“，”display_name“：”LDMOS设计“，”score“：0.542035}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/cmos-scaling（https://openalex.org/keywords/cmos-scaling）“，”display_name“：”CMOS缩放“，”score“：0.529777}]，”concepts“：[{”id“：”https://openalex.org/C31672976，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q4042432“，”display_name“：”LDMOS“，”level“：4，”score“：0.94949085}，{”id“：”https://openalex.org/C32921249，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q2001256“，”display_name“：”碰撞电离“，”level“：4，”score“：0.7312959}，{”id“：”https://openalex.org/C73500089，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q2445876“，”display_name“：”热载流子注入“，”level“：4，”score“：0.5801312}，{”id“：”https://openalex.org/C46918542，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q1648344“，”display_name“：”公共发射器“，”level“：2，”score“：0.48770413}，{”id“：”https://openalex.org/C172385210，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q5339“，”display_name“：”晶体管“，”电平“：3，”分数“：0.48758548}，{”id“：”https://openalex.org/C192562407，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q228736“，”display_name“：”材料科学“，”level“：0，”score“：0.4774911}，{”id“：”https://openalex.org/C49040817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q193091网址“，”display_name“：”光电子“，”level“：1，”score“：0.4650107}，{”id“：”https://openalex.org/C127162648，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q16858953网址“，”display_name“：”频道（广播）“，”级别“：2，”分数“：0.4637343}，{”id“：”https://openalex.org/C147120987，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q2225“，”display_name“：”Electron“，”level“：2，”score“：0.43675458}，{”id“：”https://openalex.org/C2778413303，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q210793“，”display_name“：”MOSFET“，”level“：4，”score“：0.42698553}，{”id“：”https://openalex.org/C198291218，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q190382“，”display_name“：”电离“，”level“：3，”score“：0.40922427}，{”id“：”https://openalex.org/C24326235，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q126095“，”display_name“：”电子工程“，”level“：1，”score“：0.374826}，{”id“：”https://openalex.org/C119599485，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q43035“，”display_name“：”电气工程“，”level“：1，”score“：0.32467186}，{”id“：”https://openalex.org/C127413603，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q11023“，”display_name“：”Engineering“，”level“：0，”score“：0.23309514}，{”id“：”https://openalex.org/C121332964，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q413“，”display_name“：”物理“，”等级“：0，”分数“：0.21888992}，{”id“：”https://openalex.org/C165801399，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q25428“，”display_name“：”Voltage“，”level“：2，”score“：0.11296183}，{”id“：”https://openalex.org/C185544564，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q81197“，”display_name“：”核物理“，”level“：1，”score“：0.06452191}，{”id“：”https://openalex.org/C145148216，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q36496“，”display_name“：”Ion“，”level“：2，”score“：0.0}，{”id“：”https://openalex.org/C62520636，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q944“，”display_name“：”量子力学“，”level“：1，”score“：0.0}]，”mesh“：[]，”locations_count“：1.”locations“：[{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/essderc.2019.8901703“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null:”license_id“：nuld，”version“：null，”is_accepted“：false，”is_published“：false}]，”best_oa_location“：nul，”sustainable_development_goals“：[{”id“：”https://metadata.un.org/sdg/7“，”score“：0.76，”display_name“：”负担得起的清洁能源“}]，”grants“：[]，”datasets“：[]，”versions“：[】，”referenced_works_count“：13，”referrenced_works“：【”https://openalex.org/W1581157347","https://openalex.org/W1995174031","https://openalex.org/W1997340478","https://openalex.org/W2041424982","https://openalex.org/W2064404588","https://openalex.org/W2100869539","https://openalex.org/W2154636434","https://openalex.org/W2172288086","https://openalex.org/W2186045379","https://openalex.org/W2734875335","https://openalex.org/W2782868302","https://openalex.org/W2782979829","https://openalex.org/W2895777759“]，”related_works“：[”https://openalex.org/W4293066286","https://openalex.org/W2987009625","https://openalex.org/W2914174015","https://openalex.org/W2765586609","https://openalex.org/W2242538537","https://openalex.org/W2202664746网址","https://openalex.org/W2127328470","https://openalex.org/W2079419546","https://openalex.org/W2020668769","https://openalex.org/W1524243303“]，”ngrams_url“：”https://api.openalex.org/works/W2987009625/ngrams网站“，”“abstract_inverted_index”：{“The”：[0110]，“hole”：[1,86]，“impact-ionization”：[2,84]，“coefficient”：[3]，“and”：[4,60,63,89]，“The”：[5,12,24,28,32,44,79,83,91,96107116]，“heat electron”：[6,92]，“injection”：[7]，“model”：[8]，“currently”：[9]，“available”：[10]，“in”：[11,40,72]，“Synopsys”：[13]，“TCAD“：[14112]，”工具“：[15]，”have“：[16,46,75,99]，”been“：[17,47100]，”已校准，“：[18]，”作为“：[19,54]，“a”：[20]，“必要”：[21]，“步骤”：[22]，“朝向”：[23]，“可能性”：[25]，“to”：[26,74,78]，“预测”：[27]，“长期”：[29]，“可靠性”：[30]，“of”：[31,82,90123]，“新”：[33]，“发电”：[34]，“p-channel”：[35,55103]，“功率”：[36104]，“LDMOS”：[37105]，“设备”：[38]，“集成”：[39]，“BCD”：[41]，“技术”。“：[42]，”First，“：[43]，”models“：[45,98]，”calibrated“：[48,97]，”on“：[49102]，”ad-hoc“：[50]，”test“：[51]，”structures“：[52]，”such“：[53]，”MOSFET“：[56,65]，“with”：[57,66]，“separated”：[58]，“source”：59]，“body”：[61]，“contacts”：[62]，“n-channel”：[64]，“an”：[67120]，“附加”：[68]，“子表面”：[69]，“发射器”：[70]，“区域”：[71]，“顺序”：[73]，“直接”：[76]，“access“：[77]，”实验“：[80]，”表征“：[81]，”under“：[85]，”雪崩“：[87]，”政权“：[88]，”注入“：[93]，”。“：[94]，”Then，“：[95]，”validated“：[101]，”featured“：[106]，”STI“：[108]，”architecture。“：[109]，”建议“：[111]，”方法“：[113]，”准确“：[114]，”捕获“：[115]，”相关“：[117]，”效果“：[118]，”超过“：[119]，”扩展“：[121]，”范围“：[122]，”电气“：[124]，”字段。“：[125]｝，”cited_by_api_url“：”https://api.openalex.org/works？filter=cites:W2987009625“，”counts_by_year“：[{”年份“：2024，”cited_by_count“：1}，{”年“：2023，”cited_by_count”：2}，“年份”：2020，”citecd_by_count“：2}]，”updated_date“：”2024-08-14T15:04:03.241854“，”created_dates“：”2019-11-22“}