{“id”：“https://openalex.org/W2016746014“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2012.6343364“，”title“：”LDMOS晶体管的TCAD退化建模“，”display_name“：”LCMOS晶体管TCAD退化模型“，”publication_year“：2012，”publitation_date“：”2012-09-01“，”ids“：{”openalex“：”https://openalex.org/W2016746014“，”doi“：”https://doi.org/10.109/essderc.2012.6343364“，”mag“：”2016746014“}，”language“：”en“，”primary_location“：{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.1109/essderc.2012.6343364“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null'，”licence_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}，”type“：”article“，”type_crossref“：“procesdings-article”，”indexed_in“：[”crossref“]，”open_access“：{”is_oa“：false，”oa_status“：”closed“，”oa_url”：null“，”any_repository_has_fulltext“：false}”，”authorships“：[{”author_position“：”first“，”作者“：{”id“：”https://openalex.org/A5031723360“，”display_name“：”Susanna Reggiani“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-9616-8558“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”S.Reggiani“，”raw _affiliation_strings“：[“意大利博洛尼亚博洛尼亚大学ARCES和DEIS”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and DEIS，University of Bolona，Bologna，Italy“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5087325828“，”display_name“：”F.Barrero“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-3021-0258“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[“IT”]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”G.Barone“，”raw _affiliation_strings“：[”意大利博洛尼亚博洛尼亚大学ARCES和DEIS“]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”意大利博罗尼亚博洛纳大学ARCES和DEIS”，“institution_ids”：[“https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5063880764“，”display_name“：”Elena Gnani“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-6949-5919“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”E.Gnani“，”raw _affiliation_strings“：[“意大利博洛尼亚博洛尼亚大学ARCES和DEIS”]，”affiliations“：[{”raw_affiliation_string“：”ARCES and DEIS，University of Bolona，Bologna，Italy“，”institution_ids“：]”https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5083737379“，”display_name“：”A.Gnudi“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-2186-3468“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I9360294“，”display_name“：”博洛尼亚大学“，”ror“：”https://ror.org/0111rn36“，”country_code“：”IT“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I9360294“]}]，”国家“：[”IT“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”A.Gnudi“，”raw _affiliation_strings“：[“意大利博洛尼亚博洛尼亚大学ARCES和DEIS”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”ARCES and DEIS，University of Bolona，Bologna，Italy“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I9360294“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5037282889“，”display_name“：”Stefano Poli“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I74760111“，”display_name“：”德州仪器（美国）“，”ror“：”https://ror.org/03vsmv677“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I74760111“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”S.Poli“，”raw _ afiliation_strings“：[“德克萨斯州达拉斯德州仪器公司”]，”affiliations“：[{”raw_ afiliation _string“：”德州达拉斯德州仪器公司“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I74760111“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5034472742“，”display_name“：”Ming-Yeh Chuang“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-7503-975X“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I74760111“，”display_name“：”德州仪器（美国）“，”ror“：”网址：https://ror.org/03vsmv677“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I74760111“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”M.-Y.Chuang“，”raw _ afiliation_strings“：[“德克萨斯州达拉斯德州仪器公司”]，”affiliations“：[{”raw_ afiliation _string“：”德克萨斯州达拉s德州仪器有限公司“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I74760111“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5101592699“，”display_name“：”W.Tian“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-0798-8774“｝，”机构“：[｛”id“：”https://openalex.org/I74760111“，”display_name“：”德州仪器（美国）“，”ror“：”https://ror.org/03vsmv677“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I74760111“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”W.Tian“，”raw _affiliation_strings“：[“德克萨斯仪器公司，达拉斯”]，”从属关系“：[{”raw _affiliation_string“：”德克萨斯仪器公司https://openalex.org/I74760111“]}]}，{”author_position“：”last“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5020873035“，”display_name“：”R.Wise“，”orcid“：null｝，”institutions“：[｛”id“：”https://openalex.org/I74760111“，”display_name“：”德州仪器（美国）“，”ror“：”网址：https://ror.org/03vsmv677“，”country_code“：”US“，”type“：“company”，”lineage“：[”https://openalex.org/I74760111“]}]，”国家“：[”美国“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”R.Wise“，”raw _ afiliation_strings“：[“德克萨斯州达拉斯德州仪器公司”]，”affiliations“：[{”raw_ afiliation _string“：”德克萨斯州达拉s德州仪器有限公司“，”institution_ids“：[https://openalex.org/I74760111“]}]}]，”countries_distinct_count“：2，”institutions_disting_count”：2，“corresponding_author_ids”：[]，”correspounding_institution_ids“：[]、”apc_list“：null，”apc_payed“：null，”fwci“：0.846，”has_fulltext“：true，”fulltext_origin“：”ngrams“，”cited_by_count：3，”citation_normalized_percentile“：{”value“：0.596143，”is_in_top_1_percent“：false，”is_in_top_10_percent“：false}，”cited_by_percentile_year“：{”min“：76，”max“：78}，“biblio”：{“volume”：null，“issue”：nul，“first_page”：null，“last_page”：null}，，“is_retracted”：false，“is_paratext”：false，“primary_topic”:{“id”：“https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，”主题“：[{”id“：”https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10361“，”display_name“：”电力电子技术“，”score“：0.9997，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10558“，”display_name“：”纳米电子学和晶体管“，”score“：0.9997，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}]，”关键词“：[{”id“：”https://openalex.org/keywords/ldmos“，”display_name“：”LDMOS“，”score“：0.84431803}，{”id“：”https://openalex.org/关键字/降级“，”display_name“：”降级（电信）“，”score“：0.6648621}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/cmos-scaling（https://openalex.org/keywords/cmos-scaling）“，”display_name“：”CMOS缩放“，”score“：0.490664}，{”id“：”https://openalex.org/keywords/电介质强度“，”display_name“：”介电强度“，”score“：0.4393362}]，”concepts“：[{”id“：”https://openalex.org/C31672976，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q4042432“，”display_name“：”LDMOS“，”level“：4，”score“：0.84431803}，{”id“：”https://openalex.org/C192562407，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q228736“，”display_name“：”材料科学“，”level“：0，”score“：0.6800097}，{”id“：”https://openalex.org/C21036866，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q181767“，”display_name“：”重音（语言学）“，”level“：2，”score“：0.6688059}，{”id“：”https://openalex.org/C2779679103，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q5251805“，”display_name“：”降级（电信）“，”level“：2，”score“：0.6648621｝，｛”id“：”https://openalex.org/C204323151，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q905424“，”“display_name”“：”范围（航空）“，”级别“：2，”分数“：0.4849739}，{”id“：”https://openalex.org/C24326235，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q126095“，”display_name“：”电子工程“，”level“：1，”score“：0.48165217}，{”id“：”https://openalex.org/C49040817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q193091网址“，”display_name“：”光电子“，”level“：1，”score“：0.4675395}，{”id“：”https://openalex.org/C172385210，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q5339“，”display_name“：”晶体管“，”电平“：3，”分数“：0.46111822}，{”id“：”https://openalex.org/C70401718，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q343241“，”display_name“：”介电强度“，”level“：3，”score“：0.4393362}，{”id“：”https://openalex.org/C133386390，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q184996“，”display_name“：”Dielectric“，”level“：2，”score“：0.4329955}，{”id“：”https://openalex.org/C119599485，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q43035“，”display_name“：”电气工程“，”level“：1，”score“：0.2560417}，{”id“：”https://openalex.org/C127413603，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q11023“，”display_name“：”Engineering“，”level“：0，”score“：0.211310326｝，｛”id“：”https://openalex.org/C165801399，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q25428“，”display_name“：”Voltage“，”level“：2，”score“：0.1263046}，{”id“：”https://openalex.org/C159985019，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q181790网址“，”display_name“：”复合材料“，”level“：1，”score“：0.08613014}，{”id“：”https://openalex.org/C41895202，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q8162“，”display_name“：”语言学“，”level“：1，”score“：0.0}，{”id“：”https://openalex.org/C138885662，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q5891“，”display_name“：”Philosophy“，”level“：0，”score“：0.0}]，”mesh“：[]，”locations_count“：1，”location“：[{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/essderc.2012.6343364“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null:”license_id“：null，”version“：number，”is_accepted“：false，”is_published“：false}]，”best_oa_location“：nul，”sustainable_development_goals“：[]，”grants“：[]，”datasets“：]，”versions“：[]:”，“referenced_works_count”：12，“referrenced_works”：[”https://openalex.org/W1971046248","https://openalex.org/W2090424002","https://openalex.org/W2102916175","https://openalex.org/W2109810058","https://openalex.org/W2115418270","https://openalex.org/W213063253","https://openalex.org/W2137096648","https://openalex.org/W2153865451","https://openalex.org/W2154716704","https://openalex.org/W2159775626","https://openalex.org/W2169883292","https://openalex.org/W3147530887“]，”related_works“：[”https://openalex.org/W2784935255","https://openalex.org/W2533563998","https://openalex.org/W2383158897网址","https://openalex.org/W2351346650","https://openalex.org/W2161065720","https://openalex.org/W2159500735","https://openalex.org/W2120478485","https://openalex.org/W2061097653","https://openalex.org/W2035880586","https://openalex.org/W1965171205“]，”ngrams_url“：”https://api.openalex.org/works/W2016746014/ngrams网站“，”“abstract_inverted_index”：{“Physically-based”：[0]，“models”：[1]，“of”：[2,16,23,37,46,54,69,75,82,94]，“hot-carrier”：[3,64]，“stress”：[4,27,38,95]，“and”：[5,40,72,79,97]，“medial”：[6]，“field enhanced”：[7]，“thermal”：[8]，“damage”：[9]，“have”：[10]，“been”：[11,60]，“incorporated”：[12]，“in”：[13,29]，“the”：[14,21,25,47,52,55,63,70,80,83]，“framework”：[15]，“框架”a“：[17]，”TCAD“：[18]，”工具“：[19]，”与“：[20]，”目标“：[22]，”调查“：[24]，”电气“：[26]，”退化“：[28,76]，”集成“：[30]，”功率“：[31]，”设备“：[32]，”超过“：[33]，”an“：[34,91]，”扩展“：[35,92]，”范围“：[36,93]，”偏差“：[39]，”环境“：[41]，”温度。“：[42]，”安“：[43]，”分析“：[44]，”公式“：[45]，”分布“：[48,74]，”功能“：[49]，”会计“：[50]，”for“：[51,62]，”效果“：[53]，”完整“：[56]，”频带“：[57]，”结构“：[58]，”has“：[59]，”employed“：[61]，”建模。“：[65]，“A”：[66]，“定量”：[67]，“理解”：[68]，“动力学”：[71]，“局部”：[73]，“是”：[77]，“实现”：[78]，“漂移”：[81]，“大多数”：[84]，“相关”：[85]，“参数”：[86]，“is”：[87]，“很好”：[88]，“预测”：[89]，“on”：[90]，“时间”：[96]，“偏差”。“：[98]｝，”cited_by_api_url“：”https://api.openalex.org/works？filter=cites:W2016746014“，”counts_by_year“：[{“年份”：2016，”cited_by_count“：1}，{“年度”：2014，”cited_by_count”：1}，{”year“:2013，”citecd_by_count“:1}]，”updated_date“：”2024-08-15T05:47:56.546369“，”created_dates“：”2016-06-24“}