{“id”：“https://openalex.org/W4292388118“，”doi“：”https://doi.org/10.109/drc55272.2022.9855792“，”title“：”MFSFET with Ferroteric HfN for Analog Memory Application“，”display_name“：”用于模拟存储器应用的带有铁电HfN的MFSFET“，”publication_year“：2022，”publitation_date“：”2022-06-26“，”ids“：{”openalex“：”https://openalex.org/W4292388118“，”doi“：”https://doi.org/10.109/drc55272.2022.9855792“}，”language“：”en“，”primary_location“：{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/drc55272.2022.9855792“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null'，”licence_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}，”type“：”article“，”type_crossref“：“procesdings-article”，”indexed_in“：[”crossref“]，”open_access“：{”is_oa“：false，”oa_status“：”closed“，”oa_url”：null“，”any_repository_has_fulltext“：false}”，”authorships“：[{”author_position“：”first“，”作者“：{”id“：”https://openalex.org/A5041509026“，”display_name“：”S.Ohmi“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I114531698“，”display_name“：”东京工业大学“，”ror“：”https://ror.org/0112mx960“，”country_code“：”JP“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]，”国家“：[”JP“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”S.Ohmi“，”raw _affiliation_strings“：[“东京理工学院，电子电气工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”东京理工大学电气与电子工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5074219907“，”display_name“：”Akio Ihara“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I114531698“，”display_name“：”东京理工大学“，”ror“：”https://ror.org/0112mx960“，”country_code“：”JP“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]，”国家“：[”JP“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”A.Ihara“，”raw _ afiliation_strings“：[“东京理工学院，电子电气工程系，日本横滨，Midori-ku，226-8502”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”东京理工大学电气与电子工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5082298405“，”display_name“：”Masakazu Tanuma“，”orcid“：null}，”institutions“：[{”id“：”https://openalex.org/I114531698“，”display_name“：”东京理工大学“，”ror“：”https://ror.org/0112mx960“，”country_code“：”JP“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]，”国家“：[”JP“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”M.Tanuma“，”raw _ afiliation_strings“：[“东京理工学院，电子电气工程系，日本横滨，Midori-ku，226-8502”]，”afiliations“：[{”raw _affiliation_strong“：”东京理工大学电气与电子工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5015951721“，”display_name“：”Jooyoung Pyo“，”orcid“：null｝，”institutions“：[｛”id“：”https://openalex.org/I114531698“，”display_name“：”东京理工大学“，”ror“：”https://ror.org/0112mx960“，”country_code“：”JP“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]，”国家“：[”JP“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”J.Y.Pyo“，”raw _ afiliation_strings“：[“东京理工学院，电子电气工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502”]，”affiliations“：[{”raw_ afiliation _string“：”东京理工大学电气与电子工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]}，{”author_position“：”last“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5082026740“，”display_name“：”Jae\u2010Wook Shin“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-7431-9255}，“机构”：[{“id”：https://openalex.org/I114531698“，”display_name“：”东京理工大学“，”ror“：”网址：https://ror.org/0112mx960“，”country_code“：”JP“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]，”国家“：[”JP“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”J.W.Shin“，”raw _ afiliation_strings“：[“东京理工学院，电子电气工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502”]，”affiliations“：[{”raw_ afiliation _string“：”东京理工大学电气与电子工程系，日本横滨市弥多里区，226-8502“，”institution_ids“：[”https://openalex.org/I114531698“]}]}]，”countries_distinct_count“：1，”institutions_disting_count”：1，“corresponding_author_ids”：[]，”correspounding_institution_ids“：[]、”apc_list“：null，”apc_payd“：null，”fwci“：0.171，”has_fulltext“：false，”cited_by_count：null，“first_page”：空，“last_page”：空}，“is_retracted“：false，”is_paratext“：fase，”primary_topic“：{”id“：”https://openalex.org/T12808“，”display_name“：”低功率纳米应用的铁电器件“，”score“：0.9998，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，”主题“：[{”id“：”https://openalex.org/T12808“，”display_name“：”低功率纳米应用的铁电器件“，”score“：0.9998，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10472“，”“display_name”：“原子层沉积技术”，“score”：0.9977，“subfield”：{“id”：“https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，{”id“：”https://openalex.org/T10558“，”display_name“：”纳米电子学和晶体管“，”score“：0.9966，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}]，”关键词“：[{”id“：”https://openalex.org/keywords/field-effect-transistors网站“，”display_name“：”场效应晶体管“，”score“：0.565983｝，｛”id“：”https://openalex.org/keywords/tunnel-field-effect晶体管“，”“display_name”：“隧道场效应晶体管”，“score”：0.536202}，{“id”：“https://openalex.org/keywords/high-k-dielectrics网站“，”display_name“：”High-k Dielectrics“，”score“：0.501664}]，”concepts“：[{”id“：”https://openalex.org/C79090758，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q1045739“，”display_name“：”铁电“，”level“：3，”score“：0.7129568}，{”id“：”https://openalex.org/C192562407，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q228736“，”display_name“：”材料科学“，”level“：0，”score“：0.488383｝，｛”id“：”https://openalex.org/C49040817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q193091“，”display_name“：”光电子“，”level“：1，”score“：0.23100886}，{”id“：”https://openalex.org/C133386390，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q184996“，”display_name“：”Dielectric“，”level“：2，”score“：0.11934194}]，”mesh“：[]，”locations_count“：1，”location“：[{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.109/drc55272.2022.9855792“，”pdf_url“：null，”source“：null，”license“：null.，”licence_id“：null，”version“：nuller，”is_accepted“：false，”is_published“：false}]，”best_oa_location“：nul，”sustainable_development_goals“：[]，”grants“：{”funder“：”https://openalex.org/F4320320212“，”“funder_display_name”：“日本伦敦科学促进会”，“award_id”：“19H00758”}，{“funder”：“https://openalex.org/F4320320907“，”funder_display_name“：”日本科技公司“，”award_id“：null}]“，”datasets“：[]，”versions“：[]，”referenced_works_count“：0，”referrenced_works“：[https://openalex.org/W4390401159","https://openalex.org/W4388998267","https://openalex.org/W4246450666","https://openalex.org/W4230250635","https://openalex.org/W3120461830","https://openalex.org/W3041790586","https://openalex.org/W2898370298","https://openalex.org/W2795319754","https://openalex.org/W2744391499","https://openalex.org/W2018879842“]，”ngrams_url“：”https://api.openalex.org/works/W4292388118/ngrams网站“，”abstract_inverted_index“：{”铁电“：[0]，”HfO“：[1]，”2“：[4,8,38,91]，”（Fe-HfO“：[5]，”）“：[9]，”薄“：[10]，”薄膜“：[11]，”有“：[12]，”多“：[13]，”注意“：[14]，”代表“：[15128]，”该“：[16,31,40,51,59,93104125]，”金属铁电-Si“：[17]，”场效应“：[18]，“晶体管”：[19]，“（MFSFET）”：[20]，“应用”：[21]，“因为”：[22]，“的”：[23,30,34,84,96107115]，“其”：[24]，“硅”：[25,41116]，“兼容性”：[26]，“[1],":[27],"[2].“：[28]，”One“：[29]，”critical“：[32]，”issues“：[33]，”Fe-HfO“：[35,88]，”is“：[39,67,77]，”xmlns:xlink=\“http://www.w3.org/1999/xlink\“>氧气“：[44]，”界面“：[45]，”层“：[46]，”（IL）“：[47]，”形成“：[48,76]，”其中“：[49,66]，”降解“：[50]，”存储器“：[52105130]，”器件“：[53]，”特征“：[54106]，”[1]\u2013[3]。“：[55]，“We”：[56]，“have”：[57102]，“reported”：[58]，“铁电体”：[60]，“HfN”：[61]，“（Fe-HfN）”：[62]，“formed”：【63]，“on”：【64】，“Si（100）”：【65】，“concreated”：【68】，“in”：【69，82】，“菱面体”：【70】，“phase”：【71】，“[4]，”：【72】，“【5】。“：[73]，”The“：[74113]，”IL“：[75]，”expected“：[78]，”to“：[79,87123]，”be“：[80]，”suppressed“：+81]，”case“：[83]，”Fe-HfN“：[85110]，”compared“：[86]，”from“：[92]，”热力学“：[94]，”point“：[95]，”view。“：[97]，”In“：[98]，”this“：[99]，”paper“：[100]，”we“：[101]，”investived“：[103122]，”MFSFETs“：[108]，”using“：[109]，”gate“：[111]，”insulator。“：[112]，”效果“：[114]，”表面“：[117]，”平整“：[118]，”过程“：[119]，”[6]“：[120]，”是“：[121]，”改善“：[124]，”接口“：[126]，”属性“：[127]，”模拟“：[129]，”应用程序。“：[131]}，”cited_by_api_url“：”https://api.openalex.org/works？filter=cites:W4292388118“，”counts_by_year“：[{”年份“：2024，”cited_by_count“：1}]，”updated_date“：”2024-06-30T09:28:35.374455“，”created_date:“2022-08-20”}“