｛“id”：“https://openalex.org/W4307898885“，”doi“：”https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105617“，”title“：“P+埋地负电容SOI FET的几何影响研究”，”display_name“：“对P+埋设负电容SOIFET的几何学影响研究”、”publication_year“：2022，”publication_date“：”2022-12-01“，”ids“：{”openalex“：”https://openalex.org/W4307898885“，”doi“：”https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105617“}，”language“：”en“，”primary_location“：{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.1016/j.mejo.2021205617“，”pdf_url“：空，”源“：{”id“：”https://openalex.org/S4394736632“，”display_name“：”Microelectronics“，”issn_l“：”0026-2692“，”isn“：[”0026-269“]，”is_oa“：false，”isin_doaj“：false，”is_core“：false，”host_organization“：null，”host_organization_name“:null，“host_orgganization_lineage”：[]，“host_orgganization _lineage_names”：[].，”type“：”journal“}”，“license”：null、“license_id”：null，“version”：null，“is_accept”ed“：false，”is_published“：false}，”type“：”article“，”type_crossref“：“journal-article”，”indexed_in“：[”crossref“]，”open_access“：{”is_oa“：true，”oa_status“：”green“，”oa_url“：”https://eprints.gla.ac.uk/284510/2284510.pdf“，”any_repository_has_fulltext“：true}，”authorships“：[{”author_position“：”第一“，”作者“：{”id“：”https://openalex.org/A5018954046“，”display_name“：”Toushik Santra“，”orcid“：null}，”institutions“：[]，”countries“：[”IN“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“，”Toushing Santra”，“raw_affiliation_strings”：[”印度西孟加拉邦加尔各答Netaji Subhas工程学院“]机构id“：[]}]}，{“作者位置”：“中间”，“作者”：{“id”：“https://openalex.org/A5019081899“，”display_name“：”Ankit Dixit“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0002-6653-6460}，“机构”：[{“id”：https://openalex.org/I7882870“，”display_name“：”格拉斯哥大学“，”ror“：”网址：https://ror.org/00vtgdb53“，”country_code“：”GB“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I7882870“]}]，”国家“：[”GB“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”Ankit Dixit“，”raw _ afiliation_strings“：[“英国苏格兰格拉斯哥格拉斯哥大学”]，”affiliations“：[{”raw _affiliation_strong“：”英国苏格兰格拉斯戈格拉斯哥大学“，”institution_ids“：]”https://openalex.org/I7882870“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5037922981“，”display_name“：”Rajeewa Kumar Jaisawal“，”兽人“：”https://orcid.org/0000-0003-4285-7750}，“机构”：[{“id”：https://openalex.org/I207223250“，”display_name“：”印度信息技术设计与制造学院贾巴尔普尔“，”ror“：”https://ror.org/00gmd7q80“，”country_code“：”IN“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I207223250“]}]，”国家“：[”IN“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”Rajeewa Kumar Jaisawal“，”raw _ afiliation_strings“：[“PDPM IIITDM，Jabalpur，Centhya Pradesh，India”]，“affiliations”：[{“raw_affiliation_strong”：“PDPM III TDM，Jabalbur，Madhya Pradesh-India”，“institution_ids”：[”https://openalex.org/I207223250“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5065284143“，”display_name“：”Sunil Rathore“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-7963-6391}，“机构”：[{“id”：https://openalex.org/I207223250“，”display_name“：”印度信息技术设计与制造学院贾巴尔普尔“，”ror“：”https://ror.org/00gmd7q80“，”country_code“：”IN“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I207223250“]}]，”countries“：[”IN“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”Sunil Rathore“，”raw _affiliation_strings“：【”印度中央邦贾巴尔普尔省PDPM IIITDM“】，”affiliations“：[{”raw _affiliation_string“：”印度中央邦贾巴尔普尔市PDPM IIIDDM“，”institution_ids“：[“https://openalex.org/I207223250“]}]}，{”author_position“：”middle“，”author“：{”id“：”https://openalex.org/A5043122336“，”display_name“：”Saheli Sarkhel“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-6333-9069“}，”机构“：[]，”国家“：[”IN“]，”is_corresponding“：false，”raw_author_name“：”Saheli Sarkhel“，”raw _ afiliation_strings“：[“印度西孟加拉邦加尔各答Netaji Subhas工程学院”]，“affiliations”：[{“raw _ ffiliation_strong”：“印度西孟加拉国加尔各达Netaji-Subhas工程院”，“institution_ids”：[]}，{“author_position”：“last“，”author“：｛”id“：”https://openalex.org/A5046778473“，”display_name“：”Navjeet Bagga“，”orcid“：”https://orcid.org/0000-0001-7859-5903}，“机构”：[{“id”：https://openalex.org/I207223250“，”display_name“：”印度信息技术设计与制造学院贾巴尔普尔“，”ror“：”https://ror.org/00gmd7q80“，”country_code“：”IN“，”type“：“教育”，”世系“：[”https://openalex.org/I207223250“]}]，”国家“：[”IN“]，”is_corresponding“：true，”raw_author_name“：”Navjeet Bagga“，”raw _ afiliation_strings“：[“PDPM IIITDM，Jabalpur，Centhya Pradesh，India”]，“affiliations”：[{“raw_affiliation_strong”：“PDPM III TDM，Jabalbur，Madhya Pradesh-India”，“institution_ids”：[”https://openalex.org/I207223250“]}]}]，”countries_disticont_count“：2，”institutions_disticent_count”：2，“corresponding_author_ids”：[“https://openalex.org/A5046778473“]，”对应的机构ID“：[”https://openalex.org/I207223250“]，”apc_list“：null，”apc_payed“：null，”fwci“：null，”has_fulltext“：true，”fulltext_origin“：”pdf“，”cited_by_count“：0，”cited_by_percentle_year“：｛”min“：0，”max“：66｝，”biblio“：｛”volume“：”130“，”issue“：null，”first_page“：”105617“，”last_page“：”105617“｝，”is_retracted“：false，”is_paratext“：false，”primary_topic““：｛”id“：”https://openalex.org/T12808“，”display_name“：”低功率纳米应用的铁电器件“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}，”主题“：[{”id“：”https://openalex.org/T12808“，”display_name“：”低功率纳米应用的铁电器件“，”score“：1.0，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“｝｝，｛”id“：”https://openalex.org/T10472“，”display_name“：”原子层沉积技术“，”score“：0.9999，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“｝｝，｛”id“：”https://openalex.org/T10558“，”display_name“：”纳米电子学和晶体管“，”score“：0.9996，”subfield“：{”id“：”https://openalex.org/subfields/2208“，”display_name“：”电气与电子工程“}，”字段“：{”id“：”https://openalex.org/fields/22“，”display_name“：”Engineering“}，”domain“：{”id“：”https://openalex.org/domains/3“，”display_name“：”物理科学“}}]，”关键词“：[{”id“：”https://openalex.org/keywords/negate-capacitance网站“，”display_name“：”负电容“，”score“：0.515748}]，”concepts“：[{”id“：”https://openalex.org/C53143962，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q1478788“，”display_name“：”绝缘体上的硅“，”level“：3，”score“：0.8030418}，{”id“：”https://openalex.org/C30066665，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q164399“，”display_name“：”电容“，”level“：3，”score“：0.7799878}，{”id“：”https://openalex.org/C192562407，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q228736网址“，”display_name“：”材料科学“，”level“：0，”score“：0.7038316}，{”id“：”https://openalex.org/C32921249，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q2001256“，”display_name“：”碰撞电离“，”level“：4，”score“：0.6450782}，{”id“：”https://openalex.org/C49040817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q193091“，”display_name“：”光电子“，”level“：1，”score“：0.5608052}，{”id“：”https://openalex.org/C154318817，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q2157249“，”display_name“：”寄生电容“，”level“：4，”score“：0.5206401}，{”id“：”https://openalex.org/C14843351，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q4456944“，”display_name“：”当前（流体）“，”级别“：2，”分数“：0.48949635}，{”id“：”https://openalex.org/C127162648，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q16858953“，”display_name“：”频道（广播）“，”级别“：2，”分数“：0.47338334}，{”id“：”https://openalex.org/C119599485，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q43035“，”display_name“：”电气工程“，”level“：1，”score“：0.40892226｝，｛”id“：”https://openalex.org/C544956773，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q670“，”display_name“：”Silicon“，”level“：2，”score“：0.3752335}，{”id“：”https://openalex.org/C24326235，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q126095“，”display_name“：”电子工程“，”level“：1，”score“：0.3526917}，{”id“：”https://openalex.org/C145148216，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q36496“，”display_name“：”Ion“，”level“：2，”score“：0.3446321}，{”id“：”https://openalex.org/C198291218，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q190382“，”display_name“：”电离“，”level“：3，”score“：0.2760461}，{”id“：”https://openalex.org/C127413603，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q11023“，”display_name“：”Engineering“，”level“：0，”score“：0.20722523｝，｛”id“：”https://openalex.org/C121332964，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q413“，”display_name“：”Physics“，”level“：0，”score“：0.15737787｝，｛”id“：”https://openalex.org/C17525397，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q176140“，”display_name“：”电极“，”级别“：2，”分数“：0.082027495}，{”id“：”https://openalex.org/C62520636，“wikidata”：https://www.wikidata.org/wiki/Q944网址“，”display_name“：”量子力学“，”level“：1，”score“：0.0}]，”mesh“：[]，”locations_count“：2，”location“：[{”is_oa“：false，”landing_page_url“：”https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105617“，”pdf_url“：空，”源“：{”id“：”https://openalex.org/S4394736632“，”display_name“：”Microelectronics“，”issn_l“：”0026-2692“，”isn“：[”0026-269“]，”is_oa“：false，”isin_doaj“：false，”is_core“：false，”host_organization“：null，”host_organization_name“:null，“host_orgganization_lineage”：[]，“host_orgganization _lineage_names”：[].，”type“：”journal“}”，“license”：null、“license_id”：null，“version”：null，“is_accept”ed“：false，”is_published“：false}，{”is_oa“：true，”landing_page_url“：”https://eprints.gla.ac.uk/284510/2284510.pdf，“pdf_url”：https://eprints.gla.ac.uk/284510/2284510.pdf，“源”：{“id”：https://openalex.org/S4306400411“，”display_name“：”Enlighte:Publications（The University of Glasgow）“，”issn_l“：null，”issn“：null，”is_oa“：true，”is-in_doaj“：false，”is_core“：false，”host_organization“：”https://openalex.org/I7882870“，”“host_organization_name”：“格拉斯哥大学”，“host_ordanization_lineage”：[“https://openalex.org/I7882870“]，”host_organization_lineage_names“：[”格拉斯哥大学“]，“type”：“repository”}，“license”：“cc-by-nc-nd”，“licence_id”：“https://openalex.org/licenses/cc-by-nc-nd“，”version“：”acceptedVersion“，”is_accepted“：true，”is_published“：false}]，”best_oa_location“：{”is_oa“：true，”landing_page_url“：”https://eprints.gla.ac.uk/284510/2284510.pdf，“pdf_url”：https://eprints.gla.ac.uk/284510/2284510.pdf，“源”：{“id”：https://openalex.org/S4306400411“，”display_name“：”Enlighte:Publications（The University of Glasgow）“，”issn_l“：null，”issn“：null，”is_oa“：true，”is-in_doaj“：false，”is_core“：false，”host_organization“：”https://openalex.org/I7882870“，”“host_organization_name”：“格拉斯哥大学”，“host_ordanization_lineage”：[“https://openalex.org/I7882870“]，”host_organization_lineage_names“：[”格拉斯哥大学“]，“type”：“repository”}，“license”：“cc-by-nc-nd”，“licence_id”：“https://openalex.org/licenses/cc-by-nc-nd“，”version“：”acceptedVersion“，”is_accepted“：true，”is_published“：false}，”sustainable_development_goals“：[]，”grants“：[]，”datasets“：]，”versions“：[https://openalex.org/W1625170149","https://openalex.org/W2006646670","https://openalex.org/W2134432234","https://openalex.org/W2776963204","https://openalex.org/W2887365843","https://openalex.org/W2899068745","https://openalex.org/W2945684359","https://openalex.org/W2946529521","https://openalex.org/W2973051097","https://openalex.org/W3005767426","https://openalex.org/W3112676005","https://openalex.org/W3200256198","https://openalex.org/W3201955228","https://openalex.org/W3207170242","https://openalex.org/W4200062937","https://openalex.org/W4205902100","https://openalex.org/W4220976555","https://openalex.org/W4220993170","https://openalex.org/W4285126060","https://openalex.org/W4285174817","https://openalex.org/W4285291398","https://openalex.org/W4296128807","https://openalex.org/W4296894328","https://openalex.org/W4301348823","https://openalex.org/W4302769956“]，”related_works“：[”https://openalex.org/W2994104889","https://openalex.org/W2914322917","https://openalex.org/W2161403871","https://openalex.org/W2060172388","https://openalex.org/W2053520333","https://openalex.org/W2051045034","https://openalex.org/W2050772407","https://openalex.org/W2012789561","https://openalex.org/W2010481829","https://openalex.org/W1503726972“]，”ngrams_url“：”https://api.openalex.org/works/W4307898885/ngrams网站“，”“abstract_inverted_index”：{“In”：[0,76]，“this”：[1]，“paper”：[2]，“we”：[3,80100]，“proposed”：[4,62,78109]，“a”：[5]，“novel”：[3]，“p+”：[7,31]，“bulled”：[8,32]，“negative”：[9]，“capacity”：[10]，“（NC）”：[11]，“silicon-n-insulator”：[12]，“（SOI）”：%13]，“FET”：[14]，“和”：[15,73,87,95]，“调查”：[16]，“”：[17,30,35,40,44,49,54,58,67,83,92102108121]，“影响“：[18,88103]，”的“：[19,29,85104107]，”各种“：[20]，”设备“：[21,25,63]，”参数“：[22]，”变化“：[23]，”关于“：[24,57,94120]，”性能。“：[26]，”The“：[27,61]，”placement“：[28]，”layers“：[33]，”below“：[34]，”source/dain“：[36]，”（S/D）“：[37]，”pads“：[38]，”restricts“：[3]，”electron“：[41]，”conduction“：[42]，”in“：[43]，”OFF“：[45,50]，”state“：[46]，”there“through”：[47]，”reducing“：[48]，”current“：[51]，”）“：[52]，”with“：[53]，”least“：[55]，”effect“：[56,84]，”ONcurrent“：[59]，”（ION）。“：[60]，”结构“：[64]，”有效“：[65]，”减小“：[66]，”栅极“：[68]，”电容“：[69]，”提供“：[70]，”更好“：[71]，”直流“：[72]，”模拟/RF“：[74]，”特性。“：[75124]，“我们的”：[77]，“研究”：[79]，“分别”：[81]，“讨论”：[82101]，“NC”：[86]，“电离”：[89]，“by”：[90]，“转向”：[91]，“模型”：[93]，“关闭”：[96]，“期间”：[97]，“模拟”。“：[98]，”进一步，“：[99]，”几何“：[105]，”参数“：[106]，”设备“：[110]，”例如“：[112]，”通道“：[113115]，”长度“：[11418]，”厚度“：[116]，”延伸“：[117]，”等“：[119]，”器件“：[122]，”电气“：[123]}，”引用_by_api_url“：”https://api.openalex.org/works？filter=cites:W4307898885“，”counts_by_year“：[]，”updated_date“：”2024-06-27T22:56:09.552660“，”created_date:“2022-11-06”}“