{“状态”：“确定”，“消息类型”：“工作”，“信息版本”：“1.0.0”，“邮件”：{“索引”：{-“日期-部分”：[[2022,3,28]]，“日期-时间”：“2022-03-28T23:21:18Z”，“时间戳”：1648509678706}，“引用-计数”：0，“发布者”：“IBM”，“问题”：“5”，“内容-域”：{“域”：[]，“交叉标记限制”：false}，”short-container-title“：[”IBM J.Res.&Dev.“]，“出版-印刷”用法：{“date-parts”：[[1964,11]]}，“DOI”：“10.1147\/rd.85.0527”，“type”：“journal-article”，“created”：{”date-part“：[[2010,4,5]]，“date-time”：“2010-04-05T14:34:14Z”，“timestamp”：1270478054000}，”page“：”527-531“，”source“Crossref”，“is-referenced-by-count”：2，“title”：[“Glass-Passived GaAs Chip Tunnel Diode”]，“prefix”“：”10.1147“，”卷“：”8“，”作者“：[{”给定“：”S。S.“，”family“：”Im“，“sequence”：“first”，“affiliation”：[]}，{“given”：“J.H.”，“family”：“Butler”，“segment”：“additional”，“filiation“：[]{”given“：”D.A.“，”家族“：”Chance“，”sequence“：”additional“，”affiliance“：[]}]，“member”：“3082”，“container-title”：[“IBM研发杂志”]，“original title”：[]，“link”：[{“URL”“：”http://\/xplorestaging.ieee.org\/ielx5\/5288520\/5392193\/05392198.pdf？arnumber=5392198“，”content-type“：”unspecified“，”content-version“：”vor“，”intended-application“：”similarity-checking“}]，”deposed“：{”date-parts“：[[2017,11,14]]，”date-time“：“2017-11-14T03:23:11Z”，”timestamp“：1510629791000}，”score“：1，”resource“：”{“primary”：{“URL”：“http://ieexplore.iee.org\/document\/5392198\/”}}，“副标题”：[]，“短标题”：[]，“发布“：{“date-parts”：[[1964,11]]}，“references-count”：0，“journal-issue”：{”issue“：”5“}，”URL“：”http://\/dx.doi.org\/10.1147\/rd.85.0527“，”relation“：{}，）ISSN“：[”0018-8646“，”0018-86“]，”ISSN-type“：[{”value“：”0018-846“，”type“”type“：”电子“}]，”主题“：[]，”发布“：{”日期部分“：[[1964,11]]}}