{“状态”：“确定”，“消息类型”：“工作”，“信息版本”：“1.0.0”，“邮件”：{“索引”：{“日期部分”：[[2023,9,4]]，“日期时间”：“2023-09-04T21:05:05Z”，“时间戳”：1693861505816}，“引用计数”：24，“发布者”：“计算机协会（ACM）”，“问题”：“1”，“内容域”：{-“域”：[“dl.ACM.org”]，“交叉标记限制“：true}，“short-container-title”：[“J.Emerg.Technol.Compute.Syst.”]，“published-print”：{“date-parts”：[[2012,2]]}，“abstract”：一类快速增长的电池限制型电子应用是那些睡眠时间很长的应用，例如结构健康监测系统、生物医学植入物和无线边境安全摄像头。传统的休眠模式功率降低方法，即晶体管功率选通，存在性能损失和残余泄漏等缺点。本文对一种新的纳米技术启用的功率选通结构CMOS兼容NEMS开关进行了全面评估，该开关存在严重的电源电压缩放现象。由于NEMS开关的无限离阻，与基于晶体管的功率选通实现相比，每小时执行1次FFT的FFT处理器的平均功耗下降了约30倍。此外，低导通电阻和纳米尺寸意味着即使使用当前的原型，面积开销也低5倍，还有很大的改进空间。NEMS开关的主要缺点是激活电压高，可能比典型CMOS电源电压高很多倍。我们证明，使用电荷泵，这些电压可以在线生成，与FFT处理本身相比，能量和启动延迟开销可以忽略不计。这些结果表明，基于NEMS的功率门控值得进一步研究和制造原型<\/jats:p>“，”DOI“：”10.1145\/2093145.2093147“，”type“：”journal-article“，”created“：{”date-parts“：[[2012,2,28]]，”date-time“：”2012-02-28T12:58:35Z“，”timestamp“：1330433915000}，”page“：3，“标题”：[“从晶体管到NEMS”]，“前缀”：“10.1145”，“卷“：”8“，”作者“：[{”给定“：”迈克尔·B“，”家庭“：”亨利“，”序列“：”第一“，”从属关系“：[}”名称“：”弗吉尼亚理工大学“}]}，{”给出“：”莱拉“，”家族“：”纳桑达利“，”顺序“：”附加“，”附属关系“：[{”名称：“弗吉尼亚理工学院“}]]，”成员“：”320“，”在线发布“：{”日期栏“：[2012,2]}，”引用“：[[{“key”：“e_1_2_1_1”，“doi-asserted-by”：“publisher“，”DOI“：”10.1007\/s10776-009-0100-6“}，{“key”：“e_1_1_2_1”，“DOI-asserted-by”：“publisher”，“DOI”：“10.1109\/TSCI.2007.907828”}，“{“密钥”：“e_1_2_1_3_1”，”卷标题“：IEEE\/ACM计算机辅助设计国际会议（ICCAD）论文集.660--666”，“作者”：“Chen G.K.”，“非结构化”：“陈，G。K.、Blaauw，D.、Mudge，T.、Sylvester，D.和Kim，N.S。2007.产量驱动的近阈值SRAM设计。IEEE\/ACM国际计算机辅助设计会议（ICCAD）论文集。660--666 . Chen，G.K.、Blaauw，D.、Mudge，T.、Sylvester，D.和Kim，N.S.，2007年。产量驱动的近阈值SRAM设计。在IEEE/ACM国际计算机辅助设计会议（ICCAD）上发表。660--666.“}，{”key“：”e_1_1_4_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1088\/0960-1317\/19\/8\/085003”}，“key”：“e_2_1_5_1”，“doi-assert-by”：“publisher”，”doi“：”10.1145\/1837274.1837498“}”，{145\/1278480.1278559“}，{”键“：”e_1_2_1_7_1“，”卷时间“：”IEEE传感器会议记录。248-251”，“作者”：“Fruehling A.”，“非结构化”：“Fruehling，A.，Xiao，S.，Qi，M.，Roy，K.和Peroulis，D。2009年，用于研究金接触行为的纳米开关。IEEE传感器会议记录。248--251 . Fruehling，A.、Xiao，S.、Qi，M.、Roy，K.和Peroulis，D.，2009年。用于研究金接触行为的纳米开关。IEEE传感器会议记录。248--251.“}，{”key“：”e_1_2_1_8_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1109\/JSSC.2009.2014205”}，}，“key”：“e_1_cu1_9_1”，“volume-title”：“欧洲会议展览中的设计、自动化测试会议记录（DATE）.130-135”，“作者”：“Henry M.”，”非结构化“：”Henry，M.和Nazhandali，L.，2010。从晶体管到MEMS：CMOS电路中的通入式功率门。欧洲会议展览（DATE）设计、自动化测试论文集。130--135 . Henry，M.和Nazhandali，L.，2010年。从晶体管到MEMS：CMOS电路中的通入式功率门。欧洲会议展览（DATE）设计、自动化测试论文集。130-135.“}，{”key“：”e_1_1_10_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1109\/LED.2009916”}，“key”：“e_1_i_11_11_1”，“volume-title”：“电路与系统国际研讨会论文集（ISCAS）.3566-3569”，“author”：“Kim J.”，”unstructured“：”Kim，J.，Grisso，B.，Ha，D.，and Inman，D.2007。基于阻抗的结构健康监测系统的数字宽带激励技术。在电路与系统国际研讨会（ISCAS）的会议记录中。3566--3569 . Kim，J.、Grisso，B.、Ha，D.和Inman，D.，2007年。基于阻抗的结构健康监测系统的数字宽带激励技术。在电路与系统国际研讨会（ISCAS）的会议记录中。3566--3569.“}，{”key“：”e_1_2_1_12_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1109\/TCSII.2009.2035268”}，“key”：“e_1_i_13_1”，“unstructured”：“Maciel J.2009。RF MEMS开关可靠：综合技术概述。MEMS投资者J.Maciel J.2009。RF MEMS开关可靠：综合技术概述。MEMS投资者J。“}，{”key“：”e_1_2_1_14_1“，”volume-title“：”IEEE国际电子器件会议（IEDM）会议记录.1-4.“，”author“：”Nathanel R.“，“unstructured”：“Nathanel，R.，Pott，V.，Kam，H.，Jeon，J.和Liu，T.-J.K.2009。互补逻辑的四端继电器技术。IEEE国际电子器件会议（IEDM）会议记录。1--4. Nathanel，R.、Pott，V.、Kam，H.、Jeon，J.和Liu，T.-J.K.，2009年。互补逻辑的四端继电器技术。IEEE国际电子器件会议（IEDM）会议记录。1--4.“｝，｛“key”：“e_1_2_1_15_1”，“doi断言者”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/MCAS.2009.935695”｝，｛“key”：“e_1_2_1_16_1”，“卷标题”：“第14届固态传感器、执行器和微系统研讨会论文集。7-10”，“作者”：“Parsa R.”，“非结构化”：“Parsa，R.、Akarvardar，K.、Provine，J.、Lee，D.、Elata，D.、Mitra，S.、Wong，H.和Howe，R。2010年。复合多晶硅铂横向纳米机电继电器。第14届固态传感器、执行器和微系统研讨会论文集。7--10 . Parsa，R.、Akarvardar，K.、Provine，J.、Lee，D.、Elata，D.、Mitra，S.、Wong，H.和Howe，R.，2010年。复合多晶硅-铂横向纳米机电继电器。第14届固态传感器、执行器和微系统研讨会论文集。7--10.“}，{”key“：”e_1_2_1_17_1“，”series-title“：”集成电路和系统系列“，”volume-title“：“低功耗设计要点”，“作者”：“Rabaey J.”，“非结构化”：“Rabaey，J.2009。低功耗设计要点。集成电路与系统系列。斯普林格。Rabaey，J.2009年。低功耗设计要点。集成电路与系统系列。施普林格。“}，{”key“：”e_1_2_1_18_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1109\/TVLSI.2005.85990”}，}，“key”：“e_1_I_19_1”，“volume-title”：“IEEE自定义集成电路会议（CICC）论文集.457-460”，“author”：“Raychowdhury A.”，“unstructured”：“Rychowkhury，A.，Kim，J.I.，Peroulis，D.，and Roy，K.2006。用于电池供电系统泄漏控制的集成MEMS开关。IEEE定制集成电路会议（CICC）会议记录。457--460 . Raychowdhury，A.、Kim，J.I.、Peroulis，D.和Roy，K.，2006年。用于电池供电系统泄漏控制的集成MEMS开关。IEEE定制集成电路会议（CICC）会议记录。457--460.“}，{”key“：”e_1_2_1_20_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1145\/1278480.1278655”}，“key”：“e_2_2_21_1”，“doi-assert-by”：“publisher”，”doi“：”10.1145\1278480.1278655“}”，{“key：”e_ 1_1_22_1“”，“volume-title”：“IEEE VLSI电路研讨会论文集（VLSIC）.188--189”，author“：”Seok M.“，”unstructured“：”Seok，M.、Hanson，S.、Lin，Y.-S.、Foo，Z.、Kim，D.、Lee，Y.、Liu，N.、Sylvester，D.和Blaauw，D。2008年，phoenix处理器：用于传感器应用的30pw平台。IEEE超大规模集成电路（VLSIC）研讨会论文集。188--189 . Seok，M.、Hanson，S.、Lin，Y.-S.、Foo，Z.、Kim，D.、Lee，Y.、Liu，N.、Sylvester，D.和Blaauw，D.，2008年。phoenix处理器：用于传感器应用的30pw平台。IEEE超大规模集成电路（VLSIC）研讨会论文集。188--189.“}，{”key“：”e_1_2_1_23_1“，”unstructured“：”Weste N.和Harris D.2010。CMOS VLSI设计：电路与系统展望第4版。Addison-Wesley出版公司。韦斯特N.和哈里斯D.，2010年。CMOS VLSI设计：电路与系统展望第4版。Addison-Wesley出版公司。“}，{”key“：”e_1_2_1_24_1“，”doi-asserted-by“：”publisher“，“doi”：“10.1109\/ISQED.2006.91”}]，“container-title”：[”ACM Journal on Emerging Technologies in Computing Systems“]，”original-title“：[]，”language“：”en“，”link“：[{”URL“：”https:\/\/dl.ACM.org\/doi\/pdf\/10.1145\/2093145.2093147“，版本“：”vor“，”intended-application“：”similarity-checking“}]，”deposed“：{”date-parts“：[2022,12,29]]，”date-time“：”2022-12-29T20:32:46Z“，”timestamp“：1672345966000}，”score“：1，”resource“：{primary”：{“URL”：“https:\/\/dl.acm.org\/doi\/10.1145\/2093145.2093147”}，“subtitle”：[“CMOS电路的高效功率控制”]，“shorttitle”：[]，“已发布”：{date-parts“：[[2012,2]]}，”references-count“：24，”journal-issue“：{”issue“：“1”，”published-print“：{”date-part“：[2012,2]}}，“alternative-id”：[“10.1145\/2093145.2093147”]，“URL”：“http://\/dx.doi.org\/10.1145\/209314.2093147“ISSN-type”：[{“value”：“1550-4832”，“type”:“print”}，{“value”：“1150-4840”，“类型”：“电子“}]，”主题“：[]，”发布“：{”日期部分“：[[2012,2]]}，”断言“：[{”值“：”2010-12-01“，”订单“：0，”名称“：”已接收“，”标签“：”接收“，“组”：{“名称”：“publication_history”，“标签”：“发布历史”}}，{“值”：“2011-06-01”，“订单”：1，“名称”:“已接受”，“标号”：“已接受“，”组“：”{“name”：“公开_历史”，“标签”：“出版历史“}}，{“value”：“2012-02-01”，“order”：2，“name”：“published”，“label”：“published”，“group”：{“name”:“Publication_History”，“标签”：“Publication History”}}]}