{“状态”：“确定”，“消息类型”：“工作”，“信息版本”：“1.0.0”，“讯息”：{“索引”：{“日期部分”：[[2024,1,9]]，“日期时间”：“2024-01-09T23:25:21Z”，“时间戳”：1704842721871}，“参考计数”：94，“出版商”：“电气与电子工程师学会（IEEE）”，“发行”：“4”，“许可证”：[{“开始”：{-“日期部分“：[2018,1]]，”时间”：“2018-10-01T00:00:00Z”，“timestamp”：1538352000000}，“content-version”：“vor”，“delay-in-days”：0，“URL”：“https:\/\/ieeexplore.iee.org\/Xplorehelp\/downloads\/license-information\/ieee.html”}，{“start”：{“date-parts”：[[2018,10,1]]，“date-time”：“2018-10-01T00:00：00Z”“：”am“，”delay-in-days“：0，”URL“：“https:\/\/ieeexplore.iee.org\/Xplorehelp\/downloads\/license-information\/ieee.html”}，{“开始”：{“日期-部分”：[[2018,10,1]]，“日期-时间”：“2018-10-01T00:00:00Z”，“时间戳”：1538352000000}，“内容-版本”：“stm-asf”，“延迟-天”：0，“URL”：“http:\\/doi.org\/10.15223\/policy-029”}“：{”日期部分“：[[2018,10,1]]，”日期时间“：“2018-10-01T00:00:00Z”，“timestamp”：1538352000000}，“content-version”：“stm-asf”，“delay-in-days”：0，“URL”：“https:\/\/doi.org\/10.15223\/policy-037”}]，“funder”：[{“name”：“US National Science Foundation”，“award”：[“CCF-1714161.”]}]，”content-domain“：{“domain”：[]，“crossmark-restriction”：false}，”short-container-title“：[”IEEE Trans.Multi-Scale Comp.Syst.“]，“published-print”：{“date-parts”：[[2018,10,1]]}，“DOI”：“10.1109\/tmscs.2018.2882433”，“type”：“journal-article”，“created”：{“date-parts”：[[2018,11,20]]，“date-time”：“2018-11-20T20:15:30Z”，“timestamp”：1542744930000}，”page“533-547”，“source”：”Crossref“，”is-referenced-by-count“：9，”title“：[“用于节能计算的单片3D混合架构”]，“前缀”：“10.1109”，“卷”：“4”，“作者”：[{“ORCID”：“http://\/ORCID.org\/0000-0002-4650-5894”，”authenticated-ORCID“：false，”given“：”Ye“，”family“：”Yu“，”sequence“：”first“，”affiliation“：[]}，{“OR CID”:“http://\-ORCID.org\0000-0002-1539-0369”，”authenticated-ORCID”：false“given“”：“Niraj K.”，“family”：“Jha”，“sequence”：“additional”，“affiliation”：[]}]，“member”：“263”，“reference”：[{“key”：“ref73”，“doi-asserted-by”：”publisher“，”doi“：”10.1145\/98939.989401“}，{“key”：”ref72“，”doi-assert-by“：”publister“，”“doi”：“10.1145\/1669112.1669172”}，“doi”key“ref71”serted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1109\/TCAD.2012.2185930“}，{”key“：”ref70“，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/LCA.2015.2402435”}，{“key”：“ref76”，“doo-asserted-by”：”publisher“，”doi“：”10.1109\/FPL.2006.311199“}，”key“：”ref77“，”article-title“：”DDR4 SDRAM“，”year“：”2016“}.2010.31“}，{“key”：“ref39”，“首页”：“17.1.1”，“文章标题”：“具有64k细胞（256×256）相变记忆突触阵列的NVM神经形态核心，具有用于持续原位学习的片上神经元电路”，“作者”：“kim”，“年份”：“2015年”，“期刊标题”：“Proc IEEE Int Electron Devices Meet”}，{“关键”：“ref75”，“文章标题”：《ABC：序列合成和验证系统》，“作者“：“伯克利”，“年”：“2018”}，{“key”：“ref38”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/TC.2015.2409857”}doi-asserted-by“：”crossref“，”first page“：”554“，”doi“：”10.1145\/1391469.1391610“，“article-title”：“作为通用存储器替代品的三维堆叠磁存储器（mram）的电路和微体系结构评估”，“author”：“xiang yu dong”，“year”：“2008”，“journal-title:“2008年第45届ACM\/IEEE设计自动化会议DAC”}，{“key”：“ref32”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/TCAD.2006.887920”}，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1021\/acs.analochem.5b02604”}，{“key”：“ref30”，“首页”：“25.4.1”，“article-title”：“低成本和无TSV的单片3D-IC，具有物联网逻辑、内存和传感器模拟电路的异构集成”，“author”：“wu”，“year”：“2015”，“journal-title“：”Proc IEEE Int Electron Devices Meet“}，｛“key”：“ref37”，“doi asserted by”：“publisher”，“doi”：“10.1145\/155754.1555760”｝，｛“key”：“ref36”，“首页”：“26.2.1”，“文章标题”：“28nm嵌入式STT-MRAM及以上1Gbit垂直磁隧道结阵列的系统优化”，“author”：“park”，“year”：“2015”，“journal title”：“Proc IEEE Int Electron Devices Meet”｝，｛“key”：“ref35”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/CICC.2015.7338359”}，{“key”：“ref34”，“first-page”：“1”，“article-title”：“7.5 A 3.3ns-access-time 71.2W \/MHz 1Mb嵌入式STT-MRAM，使用物理消除的读-写方案和正常的内存架构”，“author”：“noguchi”，”“year”：“2015”，“journal-title”：“Proc IEEE Int Solid-State Circuits Conf”}，{“key”：“ref60”，“article-title”：“3D内存是如何改变计算的”，“year”：“2015”}“，”文章标题“：“Berkeley logic interchange format（BLIF）”，“volume”：“2”，“author”：“Berkeley”，“year”：“1992”，“journal-title”：“Oct-Tools Distribution”}，{“key”：”ref28“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1109\/ICCDT.2018.8399776“}，}“key:”ref64“，”doi-asserte-by“：”publisher“，”DI:”10.1145\/3788.37918“}”，{”key“：”ref 27“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：“10.1109\/IEDM.2014.7047120”}，{“key”：“ref65”，“doi-asserted-by”：“crossref”，“first-pages”：“213”，“doi”：“10.1007\/3-540-63465-7_226”，“article-title”：“VPR:FPGA研究的新封装、放置和路由工具”，“author”：“betz”，“year”：“1997”，“journal-title“Proc Int'l Workshop on Field-Programmable Logic and Applications”}、{“key”：”ref66“，“article-title”：“Design Compiler”，“year”：“2018”}，{“key”：“ref29”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/IEDM.2013.6724593”}，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1145\/2024716.2024718”}，{“key”：“ref69”，“year”：“2014”，“journal-title”：“Alpha Architecture Reference Manual”}“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/ASPDAC.2011.5722210”}，{“key”：“ref22”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.109\/ISQED.2012.6187545”}、{“密钥”：“ref21”，“doi-assertd-by”：“publisher”，“DII”：”10.1109\/IITC.2012.625181“}，}“keys”：“res24”，“dio-asserted-by”：”publisher“，”doi“：”10.23919\/VLSIT.2011 7.7998205“}，{”key“：”ref23“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：“10.1109\/ASPDAC.2013.6509679”}，{“key”：“ref26”，“首页”：“166”，“文章标题”：“用于高密度应用的GeOI和SOI 3D单片电池集成”，“author”：“batude”，“year”：“2009”，“journal-title”：“Proc Symp VLSI Technol”}：“ref50”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“DOI”：“10.1109\/IEDM.2017.8268314”｝，｛“key”：“ref51”，“首页”：“1”，“文章标题”：“氧化物基RRAM中快速低电流（<10$\\mu$A）电阻切换的氧化学势剖面优化”，“作者”：“chen”，“年份”：“2016”，“期刊标题”：“Proc Int Symp VLSI Technol Syst Appl”｝，｛“key”：“ref94”，“文章标题”：“Hotspot 6.0:Validation，acceleration and extension”，“author”：“zhang”，“year”：“2015”｝，｛“key”：“ref93”，“doi asserted by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/S3S.2016.7804408”｝，｛“key”：“ref92”，“article title”：“Quartus II设计软件”，“year”：“2018”｝，｛“key”：“ref91”，“article title”：“IC编译器”，“year”：“2018”｝，｛“key”：“ref90”，“article title”：“动态可重构体系结构FDR 3.0与ASIC和Altera FPGA实现的延迟、面积和功率比较”，“author”：“wang”，“year”：“2016”}，{“key”：“ref59”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/HPCA.2010.5416628”}，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/TVLSI.2015.2483525”}，{“key”：“ref56”，“doo-asserted-by”：”publisher“，”doi“：”10.1109\/TVLSI.2011.2169996“}，”{“key”：“ref55”，“article-title”：“crossbar RRAM优势”，“year”：“2016”}、{“key”：”ref54“，”first page“：”338“，”article-title“：”A 16Gb ReRAM在27nm技术中具有200MB/s的写操作和1GB/s的读操作”，“author”：“fackenthal”，“year”：“2014”，“journal-title”：“Proc IEEE Int Solid-State Circuits Conf”}，{“key”：“ref53”，“first-pages”：“2.7.1”，“article-title“：“8层3D垂直RRAM，对存储类内存应用具有良好的可扩展性”，“author”：“luo”，“年份”：“2017”，“journal-ttitle”：，“首页”：“10.2.1”，“文章标题”：“具有超低泄漏、高选择性和自顺应性存储单元的三维垂直RRAM演示”，“作者”：“罗”，“年份”：“2015年”，“期刊标题”：”Proc IEEE Int Electron Devices Meet“}，{”key“：”ref10“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1109\/TVLSI.2014.2360067“}”，{“key”：“ref11”，“doi-assert-by”：“publisher”，“DOI”：“10.1145\/1777401.1777403”}，{“key”：“ref40”，“DOI-asserted-by”：“publicher”，“DOI”：”10.1557\/mrs.2014.39“}，}“key”：”ref12“，”DOI-assert-by“：”publisher“，”DOI“：”10.1145\/2749469.2750397.7574618“}，{“key”：“ref14”，“DOI-asserted-by”：“publisher”，“DOI”：“10.1109\/TC.2015.2417540”}，{“key”：“ref15”，“首页”：“82”，“article-title”：“带高级写入方案的5ns快速写入多层非易失性1K位RRAM内存”，“author”：“sheu”，“year”：“2009”，“journal-title“：”Proc Symp-VLSI Circuits“}”，{：“参考16”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/TNANO.2017.2731871”}，{“key”：“ref81”，“doo-asserted-by”：”publisher“，”doi“：”10.1109\/MICRO.2016.7783753“}，}“keys”：“ref17”，“doi-asserted-by”:“publishers”，“DII”：”10.1101109\/IITC.2014.6831837“}”，{”key“：”ref84“，”article-title“：”The HPEC challenge基准套件“，”作者“：”哈尼“，”年份“：”2006“，”新闻标题“：“Proc High-Performance Embedded Compute”}，{“key”：“ref18”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/S3S.2014.7028194”}，{“key”：“ref80”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/LCA.2016.2628379”}，{“key”：“ref89”，“article-title”：“Stratix V GS”，“year”：“2018”}：“2011”，“新闻标题”：“2011年第38届计算机体系结构国际研讨会（ISCA）ISCA”}，{“key”：“ref6”，“first page”：”2036“，“article-title”：“硬件加速DSP上的语音识别和理解”，“author”：“stemer”，“year”：“2017”，“journal-title“：“Proc-Int-Conf口语语言处理”}：“10.1145\/3007787.3001177”}，{“key”：“ref85”，“article-title”：“小波计算”，“author”：“burkardt”，“year”：“2012”}：“ref86”，“first page”：“723”，“article-title”：“MediaBench II”，“author”：“fritts”，“year”：“2004”，“journal-title“：”Proc Workshop Media Signal Processors Embedded Syst SoC“}，{“key”：”ref7“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1145\/3079856.3080246“}”，{”key“：”ref49“，“first-page”：“52”，“article-tiple”：“具有无限耐久性和极均匀切换的双层RRAM”，“author”：“kim”，“year”：“2011”，“journal-title”：“Proc-Symp VLSI Technol”}，{“key”：“ref87”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1145\/1454115.1454128”}le-title“：“SPEC CPU2006 benchmark descriptions”，“volume”：“34”，“author”：“henning”，“year”：“2006”，“journal-title”：“SIGARCH Compute Archit News”}，{“key”：”ref9“，”doi-asserted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1109\/TVLSI.2013.2294694“}，“key“：”ref46“，”首页“：”125“，”article-title“：“用于NRAM器件制造的微电子级碳纳米管材料的进展”，“author”：“lamb”，“year”：“2014”，“journal-title”：“Proc-Adv Semiconductor Manuf Conf”}，{“key”：“ref45”，“doi-asserted-by”：“publisher”，”doi“：”10.1109\/ICICDT.2017.7993504：“ref47”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/IICCDT.2017.7993504”}，{“key”：“ref42”，“doi-assertd-by”：“publisher”，“DI:”10.1109\/ISAF.2014.6922970，“doi”：“10.23919\/VLSIC.2017.8008531”}，{“key”：“ref43”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“DOI”：“10.1109\/JSSC.2013.2282112”}]，“container-title”：[“IEEE Transactions on Multi-Scale Computing Systems”]，“原始标题”：[]，“链接”：[{“URL”：“https:\/\/ieeexplore.IEEE.org\/ielaam\/6687315\/8630102\/8540885-aam.pdf”，“content-type”：“application\/pdf”，”content-version“：”am“，”intended-application“：”syndication“}，{“URL”：“http://\/xplorestaging.ieee.org\/ielx7\/6687315\/8630102\/08540885.pdf？arnumber=8540885”，“content-type”：“unspecified”，“content-version”：“vor”，“intended-application”：“similarity-checking”}]，“deposed”：{“date-parts”：[2022,4,8]]，“date-time”：”2022-04-08T18:54:26Z“，“timestamp”：1649444066000}，“score”：1，“resource”：{“主要”：{“URL”：“https:\/\/ieeexplore.iee.org\/document\/8540885\/”}}，“副标题”：[]，“短标题”：[]，“已发布”：{“日期-部件”：[[2018,10,1]]}，”references-count“：94，”journal-issue“：{”issue“：“4”}，‘URL’：”http://\/dx.doi.org\/10.109\/tmscs.2018.2882433“，”relation“：{}，’ISSN“：[”2332-7766“，”2372-207X“]，”ISSN-type“：[{”value“：”2332-7666“，“type”：”electronic“}，{”value“：“2372-207X”，“type”：“electronic”}]，“subject”：[]，“published”：{“date-parts”：[[2018,10,1]]}}}