{“状态”：“确定”，“消息类型”：“工作”，“信息版本”：“1.0.0”，“邮件”：{“索引”：{-“日期部分”：[2022,4,4]，“日期时间”：“2022-04-04T03:26:31Z”，“时间戳”：1649042791563}，“引用计数”：6，“发布者”：“IEEE”，“内容域”：{“域”：[]，“交叉标记限制”：false}，”短容器时间“：[]”，“发布发布者”：{“日期部分”：[[2014,2]}，“DOI”：“10.1109\/isscc.2014.6757435”，“type”：“proceedings-article”，“created”：{“date-parts”：[[2014,3,7]]，“date-time”：“2014-03-07T17:14:09Z”，“timestamp”：1394212449000}，“source”：”Crossref“，”is-referenced-by-count“：0，“title”：[“16.4 0.6 to 1.0V 279&#x03BC；m²，0.92&#x03CB；W温度传感器小于&#x03B x002B；3.2\/-3.4&#x00B0；芯片上密集热监测C错误“]，”前缀“：“10.1109”，”作者“：[{”给定“：”滕“，”家人“：”杨“，”序列“：”第一“，”从属“：[]}，{”给出“：”承宗“，”家庭“：”金“，”顺序“：”附加“，”隶属“：[]}，”给定“:”彼得·R“，”家族“：”金吉特“，”序号“：”额外“，”附属“：[]}：“Seok”，“sequence”：“additional“，”affiliation“：[]}]，”member“：“263”，”reference“：[{”key“：“3”，“first page”：“1999”，“article-title”：“32nm SOI CMOS中0.001mm2 100？W片上温度传感器的\uffd1.95\ufffdc（3？）不准确度”，“author”：“chowdhury”，“year”：“2012”，“journal-title“：”IEEE International Sympon Circuits and Systems“}，{”key“：”2”，“首页”：“340”，“article-title“：”1.05V 1.6mW 0.45\ufffdC 3-分辨率-基于32nm CMOS寄生电阻补偿的温度传感器”，“作者”：“li”，“年份”：“2009”，“期刊标题”：“ISSCC Dig技术论文”}，{“key”：“1”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109”\/ISSCC.2012.6176979”}serted-by“：”publisher“，”doi“：”10.1109\/TSM.2008.2000424“}，{“key”：“4”，“doi-asserted-by”：“publisher”，“doi”：“10.1109\/ISSCC.2013.6487726”}]，“event”：{“name”：“2014 IEEE国际固态电路会议（ISSCC“：[”2014 IEEE国际固态电路会议技术论文摘要（ISSCC）“]，“original-title”：[]，“link”：[{“URL”：“http://\/xplorestaging.IEEE.org\/ielx7\/674109\/6757318\/06757435.pdf？arnumber=6757435”，“content-type”：“unspecified”，“content-version”：“vor”，“intended-application”：“similarity-checking”}]，“deposed”：{date-parts“：[[2017,3,23]]，”date-time“：”2017-03-23T17:54:57Z“，”timestamp“：1490291697000}，”score“：1，”resource“：{“primary”：{”URL“：”http://\/ieeexplore.ieee.org\/document\/6757435\/“}}，“subtitle”：[]，“short title”：[]，“issued”：{“date-part”：[[2014,2]}，《参考计数》：6，“URL”：“http://\/dx.doi.org\/10.109\/isscc.2014.6757435”，“关系”：{}，“主题“：[]，”已发布“：{“日期部分”：[[2014,2]}}}