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Ibáñez，M.J。;Jiménez-Molinos，F。;Roldán，J.B。;Yáñez，R。

使用电荷流域和基于准内插和离散正交多项式的数值方法估计电阻RAM中的重置电压。 （英语） 兹伯利07316725

数学。计算。模拟。 164, 120-130 (2019).
概述：就非易失性存储器应用而言，电阻RAM（RRAM）是近期最有前途的设备。这项新技术需要在工业化之前解决的所有前沿领域取得进展。其中之一与紧凑建模有关，即开发分析表达式，以考虑计算电流、电容、瞬态响应等所需的最重要物理效应。设备模型应该是准确的，这一问题是通过在灵活和稳健的数学架构中实现正确的物理来实现的。我们将在这里重点讨论后一个问题，因为我们将基于样条拟插值处理实验数据的良好数值近似，以执行电流和电压随时间的积分。我们这样做是为了将通常的建模域（由电流-电压表示组成）转换为电荷-流量域；即电流和电压测量变量的时间积分。在这一领域，我们引入了一种新的方法来获得RRAM的重置电压，并避免了常见测量噪声的影响。我们将解释我们提出的数学技术的主要特征以及基于实际实验数据的实际示例。这种新技术的数值稳定性对于在工业应用的自动测量环境中实现非常重要。

引用于1文件

MSC公司：

65Dxx日 数值近似和计算几何（主要是算法）
65-XX岁 数值分析
41年X月 近似值和展开值
41轴 近似值和展开值

关键词：

实验性的电阻式内存;重置电压;样条;准内插;离散正交多项式

软件：

运营质量
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\textit{M.J.Ibáñez}等人，《数学》。计算。模拟。164、120-130（2019；Zbl 07316725）
全文： 内政部

参考文献：

[1] Al Chawa，M.M。；皮科斯，R。；Roldán，J.B。；Jiménez-Molinos，F。；Villena，医学硕士。；de Benito，C.，《探索电荷流域中基于电阻开关的忆阻器，建模方法》，《国际电路理论应用》。(2017)
[2] 巴雷拉博士。；伊瓦涅斯，M.J。；Jiménez-Molinos，F。；Roldán，A.M。；Roldán，J.B.，一种基于样条准内插的方法，用于获得电荷流域电阻RAM中的重置电压，J.Compute。申请。数学。(2018) ·Zbl 1415.65281号
[3] 巴雷拉，D。；Ibáñez，M.J。；Roldán，A.M。；Roldán，J.B。；Yáñez，R.，分散数据中的多项式模式发现，J.Comput。申请。数学。，318, 107-116 (2017) ·Zbl 1372.82042号
[4] M.巴托。；Calo，V.M.，二次和三次样条空间的Gauss-Galerkin求积规则及其在等几何分析中的应用，计算。辅助设计。，82, 57-67 (2017)
[5] 巴蒂，M。；Bracken，P.，利用递归关系计算涉及B样条的积分，应用。数学。计算。，172, 91 (2006) ·Zbl 1088.65019号
[6] de Boor，C.，《样条实用指南》（修订版）（2001年），Springer:Springer New York·Zbl 0987.65015号
[7] Chihara，T.S.，《正交多项式导论》（2011），Courier Corporation·Zbl 0389.33008号
[8] Chua，L.O.，电阻开关存储器是忆阻器，应用。物理。A、 102765-783（2011）
[9] 戴维斯，P.J。；Rabinowitz，P.，《数值积分方法》（2007），Courier Corporation·Zbl 1139.65016号
[10] R.Degraeve等人。RRAM的沙漏概念：动态和统计设备模型。in：第21届集成电路物理与失效分析国际研讨会论文集，IPFA，2014。；R.Degraeve等人。RRAM的沙漏概念：动态和统计设备模型。摘自：第21届集成电路物理与失效分析国际研讨会论文集，IPFA，2014年。
[11] DeVore，R.A。；Lorentz，G.G.，《构造逼近》（1993），施普林格出版社·Zbl 0797.41016号
[12] Gautschi，W.，《正交多项式：计算与逼近》（2004），牛津大学出版社·Zbl 1130.42300号
[13] Gautschi，W.，正交多项式（在Matlab中），J.Compute。申请。数学。，178, 1-2, 215-234 (2005) ·Zbl 1067.65023号
[14] González，P。；伊瓦涅斯，M.J。；罗丹，J.B。；Roldán，A.M。；Yáñez，R.，《基于WENO技术改进MOSFET晶体管参数提取程序的深入研究》，数学。计算。模拟，118248-257（2015）·Zbl 07313420号
[15] González，M.B。；Rafi，J。；O.贝尔达伦。；Zabala，M。；Campabadal，F.，基于Ni/HfO2的RRAM器件的开关可变性分析，IEEE Trans。设备材料。信实。，14, 769-771 (2014)
[16] González-Cordero，G。；Jiménez-Molinos，F。；Roldán，J.B。；González，M。；Campabadal，F.，《TiN/Ti/HfO2/W结构中电阻开关背后的物理深入研究》，J.Vac。科学。技术。，35，01A110（2017）
[18] Ibáñez，M.J。；Roldán，J.B。；Roldán，A.M。；Yáñez，R.，基于平滑样条的MOSFET晶体管阈值电压提取的综合表征，数学。计算。模拟，102，1-10（2014）·Zbl 07312609号
[20] 拉伦提斯，S。；Nardi，F。；Balatti，S。；吉尔默特区。；Ielmini，D.，双极RRAM中电压驱动离子迁移的电阻开关。第二部分：建模，IEEE Trans。电子器件，592468-2475（2012）
[21] 冯·诺依曼，J.，《计算机与大脑》（1958），耶鲁大学出版社：耶鲁大学出版公司，康涅狄格州纽黑文·Zbl 0085.14106号
[22] 潘，F。；高，S。；陈，C。；宋，C。；Zeng，F.，电阻式随机存取存储器的最新进展：材料、开关机制和性能，Mater。科学。工程，24，421（2014）
[23] R.Picos、J.B.Roldán、M.n.Al Chawa、F.Jiménez-Molinos、M.A.Villena、E.GarcíA-Moreno，《探索电荷流域中基于ReRAM的忆阻器》，建模方法。in：记忆系统国际会议论文集，MEMRISYS2015。；R.Picos、J.B.Roldán、M.n.Al Chawa、F.Jiménez-Molinos、M.A.Villena、E.GarcíA-Moreno，《探索电荷流域中基于ReRAM的忆阻器》，建模方法。摘自：《忆阻系统国际会议论文集》，MEMRISYS2015。
[24] 罗宾逊，S.M。；Stroud，A.H.，使用高阶高斯求积公式的积分方程近似解，数学。公司。，82, 286-288 (1961) ·Zbl 0102.11601号
[25] Schumaker，L.L.，《样条函数：基本理论》（1973），威利出版社：威利纽约·Zbl 0449.41004号
[26] Shin，S。；Kim，K。；Kang，S.M.，基于电荷流本构关系的忆阻器紧凑模型，计算-辅助设计。集成。电路系统。，29, 590-598 (2010)
[27] M.Suri，O.Bichler，D.Querlioz，G.Palma，作为低功率随机神经形态系统的二进制突触的CBRAM设备：听觉（耳蜗）和视觉（视网膜）认知处理应用。在：国际电子器件会议，IEDM，2012，第10.3.1-10.3.4.页。；M.Suri，O.Bichler，D.Querlioz，G.Palma，作为低功率随机神经形态系统的二进制突触的CBRAM设备：听觉（耳蜗）和视觉（视网膜）认知处理应用。摘自：国际电子器件会议，IEDM，2012年，第10.3.1-10.3.4页。
[28] Villena，医学硕士。；González，M.B。；Jiménez-Molinos，F。；坎帕巴达尔，F。；Roldán，J.B。；Sune，J。；罗梅拉，E。；Miranda，E.，《包括量子效应在内的电阻开关存储器中热重置跃迁的模拟》，J.Appl。物理。，115，第214504条pp.（2014）
[30] Villena，医学硕士。；Jiménez-Molinos，F。；Roldán，J.B。；Sune，J。；Long，S。；Lian，X。；Gámiz，F。；Liu，M.，《电阻开关存储器中热重置跃迁的深入模拟研究》，J.Appl。物理。，114，第144505条pp.（2013）
[33] 瓦瑟，R。；Aono，M.，基于纳米离子的电阻开关存储器，《自然》。，6, 833-840 (2007)
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