V·罗曼诺。;Zwierz，M。 半导体的电子-声子流体动力学模型。 （英语） Zbl 1339.82018年8月 Z.安圭。数学。物理学。 61，第6期，1111-1131（2010）。 小结：用最大熵原理封闭电子和声子耦合玻尔兹曼方程产生的矩系统，建立了半导体中电子-声子系统的流体动力学模型。在适当的尺度下得到了极限模型，并与现有的包括晶格热效应在内的半导体电荷输运模型进行了比较。 引用于13文件 MSC公司： 82天37分 半导体统计力学 76X05型 电磁场中的电离气体流动；浆流 关键词：半导体;玻尔兹曼方程;流体动力学模型;最大熵原理;电子-声子系统;热效应 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{V.Romano}和\textit{M.Zwierz}，Z.Angew。数学。物理。61，第6号，1111--1131（2010；Zbl 1339.82018） 全文： 内政部 参考文献： [1] 阿德勒M.S.：晶闸管正向压降和功耗的精确计算。IEEE传输。电子。设备ED-25、16–22（1979） [2] Albertoni，S.，Cugiani，M.：南部问题议会区。Il Nuovo Cimento，1951年11月1日，第8（11）页·Zbl 0045.38903号 [3] Anile A.M.，Romano V.：半导体中的非抛物线带输运：矩方程的闭包。连续体力学。Thermodyn公司。11, 307–325 (1999) ·Zbl 1080.82584号 ·doi:10.1007/s001610050126 [4] Anile A.M.，Romano V.，Russo G.：半导体中载流子输运的扩展水动力学模型。SIAM J.应用。数学。61、74（2000年）·Zbl 0966.35076号 ·doi:10.1137/S003613999833294X [5] Anile，A.M.，Mascali，G.，Romano，V.：半导体流体动力学建模的最新发展（2003）1:54。收录：半导体物理中的数学问题。数学课堂讲稿1832，斯普林格（2003）·Zbl 1036.82027 [6] Chryssafis A.，Love W.：n-p-n功率晶体管中一维热瞬态的计算机辅助分析。固态电子。22, 249–256 (1978) ·doi:10.1016/0038-1101（79）90029-7 [7] Dreyer W.：非平衡熵的最大化。《物理学杂志》。A： 数学。Gen.20，6505（1987）·Zbl 0633.76081号 ·doi:10.1088/0305-4470/20/18/047 [8] Dreyer W.，Struchtrup H.：重温热脉冲实验。连续体力学。Thermodyn公司。5, 3–50 (1993) ·doi:10.1007/BF01135371 [9] Galler M.，Schurrer F.：极性半导体中电子和声子传输方程耦合系统的确定性解方法。《物理学杂志》。A： 数学Gen.37，1479–1497（2004）·Zbl 1053.82034号 ·doi:10.1088/0305-4470/37/5/002 [10] Gaur S.P.，Navon D.H.：非等温条件下晶体管结构中的二维载流子流。IEEE传输。电子。设备ED-23、50–57（1976）·doi:10.1109/T-ED.1976.18346 [11] Gurevich V.L.：声子系统中的传输。荷兰北部，阿姆斯特丹（1986年） [12] Holland，M.G.：晶格导热性分析。物理。第132（6）版，（1963）·Zbl 0116.02102号 [13] Janes，E.T.：信息理论和统计力学。物理评论106（4），（1957） [14] Jacoboni C.，Reggiani L.：解决半导体中电荷输运问题的蒙特卡罗方法及其在共价材料中的应用。修订版Mod。物理。55, 645 (1983) ·doi:10.1103/RevModPhys.55.645 [15] Jou D.，Casas-Vazquez J.，Lebon G.：扩展不可逆热力学。柏林施普林格（1993）·Zbl 0974.74003号 [16] La Rosa S.，Romano V.：硅半导体中孔洞的MEP流体动力学模型：翘曲带的情况。《物理学杂志》。A： 数学。西奥。4125103（2008年）·Zbl 1143.82032号 ·doi:10.1088/1751-8113/41/21/215103 [17] Levermore C.D.：动力学理论的力矩闭合层次。《统计物理学杂志》。83, 1021 (1996) ·Zbl 1081.82619号 ·doi:10.1007/BF02179552 [18] Mascali G.，Romano V.：基于最大熵原理的砷化镓电荷输运的流体动力学模型。连续体力学。Thermodyn公司。14, 405 (2002) ·兹比尔1029.82045 ·doi:10.1007/s001610200082 [19] Mascali G.，Sellier J.M.，Romano V.：硅半导体空穴的MEP抛物线流体动力学模型。Il Nuovo Cimento 120B，197–215（2005） [20] Mascali G.，Romano V.：硅和砷化镓迁移率源自基于最大熵原理的半导体流体动力学模型。《物理学A》352459–476（2005）·doi:10.1016/j.physa.2004.12.058 [21] Müller I.，Ruggeri T.：理性扩展热力学。柏林施普林格（1998） [22] Peierls R.：Kristallen的《Wärmeleitung的Zur Kinetischen理论》。安·物理。3, 1055 (1929) ·doi:10.1002/和p.19293950803 [23] Romano V.：半导体中的非抛物线带输运：矩方程中产生项的闭合。连续体力学。Thermodyn公司。12, 31–51 (2000) ·Zbl 0962.82085号 ·doi:10.1007/s001610050121 [24] Romano V.：硅半导体的非抛物线带流体动力学模型和电子器件的模拟。数学。方法应用。科学。24, 439 (2001) ·Zbl 0981.35040号 ·doi:10.1002/mma.220 [25] 香农，C.E.：贝尔系统技术。J.27:379623，也重印。收录：Shannon，C.E.，Weaver，W.（编辑）《传播数学理论》。伊利诺伊大学出版社，厄巴纳（1949） [26] Selberherr S.：半导体器件的分析和模拟。施普林格，维恩（1984） [27] Sharma D.K.，Ramanthan K.V.：模拟MOS I-V特性的热效应。IEEE电子。设备Lett。EDL-4，362–364（1983年）·doi:10.1109/EDL.1983.25764 [28] Wachuka G.：半导体器件建模中热量生成和传导的严格热力学处理。IEEE传输。计算。辅助设计9，1141–1149（1990）·数字对象标识代码：10.1109/43.62751 [29] 吴娜：最大熵方法。柏林施普林格（1997）·Zbl 0872.65117号 [30] Ziman J.M.：电子和声子。克拉伦登，牛津（2001）·Zbl 0983.8202号 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。