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带缺陷的场论和中心函子。 (英语) Zbl 1272.57023号

Sati,Hisham(编辑)等人,量子场论和微扰弦理论的数学基础。普罗维登斯,RI:美国数学学会(AMS)(ISBN 978-0-8218-5195-1/hbk)。《纯粹数学研讨会论文集》83,71-128(2011)。
更高范畴的形式主义在拓扑量子场论的研究中发挥着越来越重要的作用。在本文中,作者介绍了带缺陷场论的概念,并举例说明。给定一个硼化物类别,缺陷条件的附加数据由定义硼化物的流形的子流形以及由一组缺陷条件给出的标签组成。虽然最初的博德主义范畴具有普通范畴的结构,但为其配备缺陷条件自然会使其具有更高范畴的结构。
这种场论的有趣例子首先出现在第二维,作者对格点场论的例子进行了一些详细的讨论。给出了代数中心的一个很好的应用。虽然代数的中心赋值不是一般的函数,但作者能够用双范畴给出函数描述。
本文包括一个关于进一步研究方向的结论部分。
关于整个系列,请参见[兹比尔1230.81005].

MSC公司:

57兰特 拓扑量子场论(微分拓扑方面)
16U70型 中心,正规化器(不变元素)(结合环和代数)
18D05日 双类别,(2)-类别,双类别和泛化(MSC2010)
81T40型 量子力学中的二维场论、共形场论等
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