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程英达;艾琳·甘巴（Irene M.Gamba）。;任奎

用Boltzmann-Poisson模型恢复半导体器件中的掺杂分布。 （英语） Zbl 1220.82099号

J.计算。物理学。 230，第9号，3391-3412（2011）.
半导体器件的参数提取是现代半导体器件设计和性能规范的重要工具。参数提取的目的是从设备特性的测量中恢复设备的材料参数，例如电流-电压（I-V）数据和电压-电容（C-V）数据。感兴趣的参数主要是掺杂谱和载流子迁移率。本文研究了半导体器件中电子输运的玻尔兹曼-泊松方程组的反问题。提出了从器件特性（I-V）测量中数值恢复掺杂分布函数的线性重建算法和牛顿型非线性算法。为了降低反问题的不适定性程度，对未知掺杂分布进行参数化，以减少反问题中的未知数量。虽然半导体器件中电荷的输运最好用Boltzmann-Poisson方程组（BP）来模拟，但半导体反问题的大多数工作都是用漂移-扩散-泊松方程组（DDP）来模拟带电粒子的输运。本文的主要目的是研究更精确BP模型的数值重建问题，并表征DDP模型重建结果之间的差异。根据基于合成数据（由BP模型生成）的详细数值重建结果，两个模型可以给出完全不同的结果。随着设备的尺寸越来越大或数据中的噪声水平越来越高，重建中的差异无法区分。
审核人：瓦克拉夫·布尔扬（普拉哈）

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82C70码 含时统计力学中的输运过程
82天37分 半导体统计力学

关键词：

玻尔兹曼-泊松系统;半导体器件;掺杂分布;反问题;参数识别;反掺杂;漂移扩散

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\textit{Y.Cheng}等人，J.Compute。物理学。230，第9号，3391--3412（2011；Zbl 1220.82099）
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