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静电MEMS器件的偏微分方程。二: 动态案例。 (英语) Zbl 1146.35381号

摘要:本文是[SIAM J.Math.Anal.38,No.5,1423-1449(2007;Zbl 1174.35040号]在这里,我们分析了具有Dirichlet边界条件的({mathbb{R}}^{N})的有界区域上的非线性抛物问题(u{t}=\triangleu-\frac{lambdaf(x)}{(1+u)^{2}}的稳态。该方程模拟了一个简单的静电微电子机械系统(MEMS)器件,该器件由一个薄的介质弹性膜组成,其边界支撑在位于\(-1)处的刚性接地板上方的0处。这里对(u)进行了建模,以描述弹性膜的动态挠度。当施加一个电压(此处用λ表示)时,薄膜向接地板偏转,当其超过某个临界值(λ)(拉入电压)时,可能会发生突然击穿(触地),从而产生所谓的“拉入不稳定性”,极大地影响了许多器件的设计。为了实现更好的MEMS设计,可以使用空间变化的介电常数剖面(f(x))技术制造膜的材料特性。我们证明了当({\lambda}\leq{\lampda}^{*})膜全局收敛到其唯一的最大稳态。另一方面,如果膜必须在有限时间(T)触地,并且触地不能发生在介电常数剖面消失的位置。我们建立了首次触地时间的上下限,并通过应用各种分析和数值技术分析了它们对\(f,\lambda \)和\(\Omega \)的依赖性。配套文件中给出了MEMS接地剖面的详细描述[Y.Guo先生,J.Differ Equations 244,No.9,2277–2309(2008;Zbl 1146.35049号)].

MSC公司:

35K55型 非线性抛物方程
35千65 退化抛物方程
35B40码 偏微分方程解的渐近行为
35B05型 偏微分方程中的振荡、解的零点、中值定理等
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全文: 内政部