A.Glitzky。;W·默兹。 半导体技术中的单一掺杂扩散。 （英语） Zbl 1036.35074号 数学。方法应用。科学。 27，第2期，133-154（2004）. 概述：本文讨论半导体技术中对扩散模型的分析。基本模型包含移动点缺陷和掺杂缺陷对的反应-裂谷扩散方程，以及与电子化学势的非线性泊松方程耦合的固定掺杂的反应方程。对于齐次结构，我们给出了强解的存在唯一性结果。从能量估计开始，我们进一步推导了先验估计，使得Leray-Shauder的不动点参数保证了模型方程的可解性。 引用于三文件 理学硕士： 35千50 抛物方程组，边值问题（MSC2000） 82天37分 半导体统计力学 35K57型 反应扩散方程 60年第35季度 与光学和电磁理论相关的PDE 第78页第35页 带电粒子的运动 关键词：非线性反应漂移扩散方程;移动点缺陷;掺杂缺陷对;可解性 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{A.Glitzky}和\textit{W.Merz}，数学。方法应用。科学。27，第2号，133--154（2004；Zbl 1036.35074） 全文： 内政部