Cercignani，C。;I.M.甘巴。;利弗莫尔，哥伦比亚特区。 半导体中玻尔兹曼-泊松系统和边界条件的高场近似。 （英语） Zbl 0894.76072号 申请。数学。莱特。 10，第4期，111-117（1997）. 摘要：我们考虑高场和小器件情况下半导体中电子的玻尔兹曼-泊松系统。我们讨论了矩方程的闭包以及分布函数和矩的边界条件。 引用于1审查引用于25文件 MSC公司： 76P05号机组 稀薄气体流动，流体力学中的玻尔兹曼方程 78A55型 光学和电磁理论的技术应用 关键词：电子和空穴气体;小型设备;力矩方程的闭包;分布函数;力矩 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{C.Cercignani}等人，应用。数学。莱特。10，编号4，111--117（1997；Zbl 0894.76072） 全文： 内政部 参考文献： [1] Cercignani，C.，玻尔兹曼方程及其应用（1988），施普林格：施普林格纽约·Zbl 0646.76001号 [2] Poupaud，F.，半导体动力学理论中高场下的失控现象和流体近似，ZAMM。Z.安圭。数学。机械。，72, 8, 359-372 (1992) ·Zbl 0785.76067号 [3] C.Cercignani、I.M.Gamba和C.D.Levermore，有界域中Boltzmann-Poisson系统的高场近似，（待发表）。；C.Cercignani、I.M.Gamba和C.D.Levermore，有界域中Boltzmann-Poisson系统的高场近似，（待发表）·Zbl 0894.76072号 [4] Golse，F。；Poupaud，F.，《Boltzmann des semi-conducteurs pour une statistique de Fermi-Dirac有限流体方程》，症状分析，6135-160（1992）·Zbl 0784.35084号 [5] Poupaud，F.，从Boltzmann方程推导半导体流体动力系统层次，应用。数学。莱特。，4, 1, 75-79 (1991) ·Zbl 0733.35102号 [6] N.Ben Abdallah、P.Degond和S.Genieys，从Boltzmann方程导出的半导体能量传输模型，（预印本）。；N.Ben Abdallah、P.Degond和S.Genieys，从Boltzmann方程导出的半导体能量传输模型，（预印本）·Zbl 1081.82610号 [7] 德米特鲁克，P。；雷纳，L。；Saul，A.，半导体器件中带电输运的高电场近似，应用。数学。莱特。，5, 3, 99-102 (1992) ·Zbl 0757.65124号 [8] Cercignani，C.，《气体动力学理论中的半空间问题》（Kröner，E.；Kirchgässner，K.，《纯数学在力学中的应用趋势》（1986），施普林格：施普林格-柏林）·Zbl 0594.76068号 [9] 巴多斯，C。；卡夫利什，R.E。；Nicolaenko，B.，硬球气体玻尔兹曼方程的Milne和Kramers问题，Comm.Pure Appl。数学。，39, 323-352 (1986) ·Zbl 0612.76088号 [10] 麦克斯韦，J.C.，《关于温度不均匀引起的稀薄气体应力》，菲尔译。皇家学会，170231-256（1879） [11] Davidson，B.，《中子输运理论》（1957），牛津大学出版社：牛津大学出版社·Zbl 0077.22505号 [12] Trugman，S.A。；Taylor，A.J.，Boltzmann方程的解析解及其在非均匀半导体电子输运中的应用，物理学。B版，33，5575-5584（1986年） 此参考列表基于出版商或数字数学图书馆提供的信息。其项与zbMATH标识符进行启发式匹配，可能包含数据转换错误。在某些情况下，zbMATH Open的数据对这些数据进行了补充/增强。这试图尽可能准确地反映原始论文中列出的参考文献，而不要求完整或完全匹配。