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半导体器件理论中的初边值问题。 (英语) Zbl 0656.35117号

本文讨论了半导体中载流子输运的基本方程,其中边界条件允许接触点的静电势取决于通过该接触点的总电流。证明了一个存在唯一性结果,并在附加的假设下,研究了解的全局有界性和渐近性。

理学硕士:

99年第35季度 数学物理偏微分方程及其他应用领域
35A05型 一般存在唯一性定理(PDE)(MSC2000)
35B35型 PDE环境下的稳定性
35B40码 偏微分方程解的渐近行为
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全文: 内政部

参考文献:

[1] 加耶夫斯基,Z.angew。数学。机械。第65页101–(1985)
[2] Gajewski,J.数学。分析。申请。第113页,第12页–(1986年)
[3] ; ; , Nichtlineare Operatorgleichungen和Operatordifferentialgleichugen,柏林,1974年·Zbl 0289.47029号
[4] Gröger,数学。纳克里斯。129第167页–(1986)
[5] ; , 《变分不等式及其应用导论》,学术出版社,1980年。
[6] ; ; , 抛物线型线性和拟线性方程组,莫斯科,1967年(俄语)。
[7] 《半导体器件数学模型分析》,都柏林,1983年·Zbl 0532.65081号
[8] 范·罗斯布鲁克,贝尔系统。《技术期刊》第29卷第560页–(1950)·Zbl 1372.35295号 ·doi:10.1002/j.1538-7305.1950.tb03653.x
[9] 半导体理论中出现的非线性系统的时间相关解。II: 有界性和周期性,Inst.Math.&申请。(美国明尼苏达州),预印本-801984年。
[10] 半导体器件的分析与模拟,Wien 1984。
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