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硅楔微电极二维场发射的数值模拟。 (英语) Zbl 1042.82629号

Iliev,O.P.(编辑)等人,数值方法和应用的最新进展。1998年8月19日至23日,保加利亚索非亚,1998年NMA第四届国际会议记录。新加坡:世界科学(ISBN 981-02-3827-4)。890-897 (1999).
摘要:建立了硅微阴极热电子场发射过程的二维数学模型。为了解决这个问题,我们使用一种新的方法来构造具有一阶导数项的发散形式的二维抛物型二阶方程的保守单调格式,从而详细说明了差分格式。差分解具有差分解的性质。该数值方法适用于多处理器工作站PARSYTEC CC。给出并讨论了电子密度和温度的二维分布以及发射表面附近的电场分布。我们表明电子加热是明显不均匀的。这导致了电流密度分布的强烈不均匀,并大大提高了发射电流的屈服值。
关于整个系列,请参见[Zbl 0964.00049号].

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82天37分 半导体统计力学
78A55型 光学和电磁理论的技术应用
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