西巴、新亚;铃木、Masahiro 半导体模型综述：全局可解性和层次结构。 （英语） Zbl 1187.35253号 Tadmor，Eitan（编辑）等，双曲线问题。理论、数值和应用。全体会议和邀请会谈。第十二届双曲线问题国际会议记录，2008年6月9日至13日。普罗维登斯，RI:美国数学学会（AMS）（ISBN 978-0-8218-4729-9/hbk；978-0-82 18-4728-2/2卷集）。应用数学专题讨论会论文集67，第1部分，315-329（2009）。 总结：在分析半导体器件中的电子流时，提出了几种用于分析和器件模拟的模型。特别是水动力模型、能量输运模型和漂移扩散模型经常用于模拟，并根据实际设备的使用目的进行适当的选择。因此，对这些模型在时间上的全局可解性及其模型层次结构的数学分析不仅在数学上，而且在工程中都是重要的问题。通过极限程序正式理解层次结构，使动量弛豫时间和/或能量弛豫时间趋于零。最近，随着器件变得真正微小，带有量子校正的模型引起了研究人员的注意。在这里，我们回顾了这些模型（包括量子模型）在时间全局分析和模型层次结构方面的最新结果。有关整个系列，请参见[Zbl 1179.35008号]. MSC公司： 60年第35季度 与光学和电磁理论相关的PDE 第82页第37页 半导体统计力学 76周05 磁流体力学和电流体力学 关键词：能量传输模型;漂移扩散模型;固定溶液;奇异极限;大量初始数据;初始层 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{S.Nishibata}和\textit{M.Suzuki}，程序。交响乐团。申请。数学。67、315--329（2009年；Zbl 1187.35253）