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利用模拟退火和玻色-爱因斯坦统计对半导体器件建模进行整体评估。 (英语) Zbl 1203.82110号

摘要:费米积分出现在微波半导体器件的数学和数值建模中。特别是,在高电子迁移率晶体管(HEMT)的建模中出现了涉及两个参数的相关费米积分,其中在材料界面形成量子阱。这些相关积分的数值计算非常耗时。在本文中,这些相关积分被依赖于少量最优参数的简单函数所取代。这些参数是通过使用模拟退火遗传算法优化合适的成本函数来找到的。介绍了一种新的方法,根据该方法,模拟退火过程的跃迁概率基于玻色-爱因斯坦分布函数,而不是基于更常见的麦克斯韦-玻尔兹曼统计或Tsallis统计。给出了四层HEMT的模拟结果,并显示了相关费米积分近似的效果。比较了模拟退火过程中使用的三种不同统计量的收敛特性。

MSC公司:

82天37分 半导体统计力学
68T05型 人工智能中的学习和自适应系统
90 C59 数学规划中的近似方法和启发式
82-08 计算方法(统计力学)(MSC2010)
65D20个 特殊函数和常数的计算,表的构造
82立方厘米 量子动力学和非平衡统计力学(通用)
78A40型 光学和电磁理论中的波和辐射
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全文: 内政部

参考文献:

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