刘兴策;牟军;颜惠珍;毕秀国 电容耦合切比雪夫超混沌映射。 （英语） Zbl 1507.94073号 国际分叉混沌应用杂志。科学。工程师。 32，第12号，文章ID 2250180，15 p.（2022）. 摘要：连续记忆电容器模型在混沌电路中得到了广泛的应用。然而，离散memcapacitor模型及其在混沌系统中的应用还没有得到进一步的研究。本文提出了一种离散电容器模型。分析了离散电容器模型的动力学特性。通过将离散电容器与切比雪夫映射耦合，得到了记忆切比雪夫映射。由于记忆切比雪夫映射具有线性不动点，因此记忆切比谢夫映射是不稳定的或临界稳定的，这取决于混沌映射的内部参数和初始条件。采用多种分析方法研究了记忆切比雪夫映射控制参数依赖的动力学行为，发现了其超混沌吸引子。还发现了吸引子共存的特殊现象。最后，用DSP实现了记忆切比雪夫映射。并对仿真结果进行了进一步验证。研究结果为离散记忆电容器在离散混沌系统设计中的应用提供了理论依据。 引用于1文件 MSC公司： 94C05（二氧化碳） 解析电路理论 第37天45 奇异吸引子，双曲行为系统的混沌动力学 关键词：离散memcapacitor;超混沌;吸引子共存;DSP实现 PDF格式BibTeX公司 XML格式引用 \textit{X.Liu}等人，国际分叉混沌应用。科学。Eng.32，No.12，文章ID 2250180，15 p.（2022；Zbl 1507.94073） 全文： 内政部 参考文献： [1] An，X.和Qiao，S.[2021]“电磁感应下HR神经元中隐藏的、周期性增加的混合模式振荡和控制”，《混沌孤岛》。分形143，110587·Zbl 1498.92040号 [2] An，X.，Qiao，S.和Zhang，L.【2021】“基于电磁场理论的神经系统的动态响应和控制”，《物理学报》。Sin.70，050501（中文）。 [3] Bao，B.，Li，H.，Wu，H.、Zhang，X.和Chen，M.[2020a]“二阶离散忆阻映射模型中的超混沌”，电子。第56、769-770页。 [4] Bao，H.，Zhang，Y.，Liu，W.和Bao，B.[2020b]“忆阻-突触耦合忆阻神经元网络：同步过渡和嵌合体的发生”，Nonlin。Dyn.100937-950·Zbl 1434.92015年 [5] 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