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里卡多·里亚扎

记忆电路中无参数的跨临界分岔。 （英语） Zbl 1386.34017号

SIAM J.应用。数学。 78，第1号，395-417（2018）.
本文在含有忆阻器的电路理论的背景下研究了无参数跨临界分岔现象，由于这些电路产生非孤立平衡流形，因此自然会出现这种现象。在这些流形通常不是双曲线的点上，分叉是可能的。本文首先在半显式微分代数方程的框架内发展了分岔的一般判据。这些结果被应用于描述记忆电路的方程，其中分岔的标准是用图形理论术语给出的。
审核人：盖·凯特里尔（海法）

引用于7文件

MSC公司：

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34立方厘米 常微分方程的不变流形
34天35分 常微分方程解流形的稳定性
37G10型 动力系统奇异点的分岔
94C05（二氧化碳） 解析电路理论
94C15号机组 图论在电路和网络中的应用
34C23型 常微分方程的分岔理论

关键词：

平衡流形;正规双曲线;无参数跨临界分岔;微分代数方程;非线性电路;记忆电阻器
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\textit{R.Riaza}，SIAM J.应用。数学。78，编号1395-417（2018；兹bl 1386.34017）
全文： DOI程序 arXiv公司

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