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刘，J。;王，X.Q。;刘，A.P。;东，H.N。;刘，Y。;李德福。

\（\mathrm）的现象学磁阻理论{Fe}_3\马特姆{F} _4个\)过渡金属掺杂的薄膜。 （英语） Zbl 1200.82068号

国际期刊修订版。物理学。B类 21，编号18-19，第2部分，3418-3424（2007）.
综述：分析了过渡金属（TM）掺杂的Fe\（_3\）F\（_4\）颗粒膜的微观结构，提出了现象学磁阻理论。详细分析了温度（T）、外加电场（H）和含量（x）等工艺参数对磁电阻（MR）的影响。通过理论分析，得出以下结论。首先，MR随（x）的变化是非线性的，MR可能在某个（x）处达到最大值。其次，随着T的增加，MR显著降低，但掺杂TM可以降低MR的降低。因此，掺杂TM有助于改善半金属的电磁性能。第三，当晶粒的磁化强度不饱和时，MR随H的增加而增加。

MSC公司：

82D20型 固体统计力学
82D40型 磁性材料的统计力学
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\textit{J.Liu}等人，国际期刊Mod。物理学。B 21，No.18--19，Part 2，3418--3424（2007；Zbl 1200.82068）
全文： 内政部

参考文献：

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