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从头算HX-ZnO的电子结构和光学特性研究。 (英语) Zbl 1223.82089号

摘要:应用第一原理超声假电位法研究了HX-ZnO,它具有一种新型的类石墨六方结构,在沿[001\bar{\text{1}}0]\方向的拉应力或沿[0001]方向的压应力作用下由纤锌矿(WZ)相转变而来。计算了HX-ZnO在给定单轴应力下的电子结构和光学性质,包括介电函数、反射率和吸收系数,并与WZ-ZnO进行了比较。发现HX-ZnO是一种间接半导体,与WZ-ZnO不同。HX-ZnO在环境条件下或给定单轴应力下具有不同于WZ-ZnO的介电响应,特别是在(E\parallel c)的情况下。反射率和吸收系数也有类似变化。光学性质的变化归因于沿(c)轴HX-ZnO的附加键(text{Zn}{-}\text{O})。

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82天80 纳米结构和纳米颗粒的统计力学
82D25个 晶体统计力学
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全文: 内政部

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