×

半导体器件全(1)流体动力学模型的全局存在性和渐近稳定性。 (英语) 兹比尔0863.35104

本文的目的是研究半导体器件的小粘度全一维流体力学模型。作者考虑了以下偏微分方程组\[\rho_t+v\rho_x=-v_x\rho,\;v_t+vv_x+{1\over m\rho}(\rho t)_x-{\varepsilon\over rho}v_xx}={e\over m}\varphi_x-{v\over tau_p},\tag{1}\]
\[T_T+vT_x+{2\over 3}Tv_x-{2\ over 3\rho}(kT_x)_x={mv^2(2\tau_w-\tau_p)\over 3\tau_p\tau_w}-{T-T^{(0)}\ over tau_w},\;{1\over e}\varphi_{xx}=\rho-C(x,t),\tag{2}\]其中,\(\varepsilon\)是测量“粘度”的正参数。他讨论了(1)-(2)的解,并研究了模型光滑解的渐近行为。

MSC公司:

60年第35季度 与光学和电磁理论相关的PDE
35B40码 偏微分方程解的渐近行为
35B65毫米 偏微分方程解的光滑性和正则性
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
全文: 内政部