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刘永生。;X.F.杨。;张，X。;夏永杰（Xia，Y.J.）。

存在杂质效应时双量子点分子的输运性质。 （英语） Zbl 1220.82122号

物理学。莱特。，A类 372，第18号，3318-3324（2008）.
摘要：在这封信中，我们研究了零温度下包含杂质效应的平行耦合双量子点（DQD）分子的电子输运。线性电导可用格林函数法计算。在没有通过量子器件的磁通量的情况下，对于对称的点引线耦合结构，观察到由量子点中的杂质态引起的明显的Fano共振。当给出磁通量时，线性电导谱中出现两组电导峰。每一组被分解成一个布莱特-维纳共振和一个法诺共振。通过调整系统参数，我们可以有效地控制这些电导峰的形状。还研究了磁通量的Aharonov-Bohm（AB）振荡。通过调节点间隧道耦合或点-杂质耦合强度，可以观察到线性电导与（pi，2 pi）或（4 pi）的振荡周期。

MSC公司：

82D20型 固体统计力学
87年第81季度 量子点、波导、棘轮等。
81V65型 作为准粒子的量子点
35J08型 椭圆方程的格林函数

关键词：

双量子点分子;Fano效应;杂质效应
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{Y.S.Liu}等人，Phys。莱特。，A 372，No.18，3318--3324（2008；Zbl 1220.82122）
全文： DOI程序

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