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熊、文;叶广平;徐巧英;龚乐乐;王寅

Ge纳米线的光学增益由垂直于纳米线轴的[100]方向单轴应力设计。 （英语） 兹布尔07411248

物理学。莱特。，A类 409，文章ID 127526，10 p.（2021）.
小结：我们利用有效质量理论计算了垂直于纳米线轴线的[100]方向单轴应力下Ge纳米线在直接伽马谷和间接L谷的电子结构，结果表明沿[100]的应力定向是将锗纳米线从间接带隙半导体转变为直接带隙半导体的有效途径。此外，还研究了[100]方向应力下的光学增益和净峰值增益，有趣的是几乎可以获得沿（z）方向的纯光学增益。重要的是，我们发现在适当的[100]方向应力下，当直径在\（10\sim 20\）nm范围内时，Ge纳米线中可以实现与增益峰对应的约0.8 eV的光子能量，这意味着锗纳米线可以通过[100]方向的应力设计为适用于硅光子学领域的电信波长1550nm。

MSC公司：

81至XX 量子理论
82至XX 统计力学，物质结构

关键词：

锗纳米线;间接带隙半导体;八频有效质量理论;[100]方向单轴应力;光学增益
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{W.Xiong}等人，《物理学》。莱特。，A 409，文章ID 127526，10 p.（2021；Zbl 07411248）
全文： 内政部

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