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M.辛格。;阿加姆卡尔，P。;Sen，P.K。

磁活性非中心对称半导体稳态和瞬态布里渊增益的简化建模。 （英语） 兹比尔1144.82364

国防部。物理学。莱特。B类 21，第10号，603-614（2007）.
摘要：借助半导体-塑性流体力学模型，对强泵浦光束与内生声波非线性相互作用产生的磁化非中心对称III-V半导体的稳态和瞬态布里渊增益进行了详细的分析研究，由于晶体的压电和电致伸缩特性。利用相干布里渊散射（CBS）起源于介质的三阶（Brillouin）磁化率这一事实，我们得到了稳态和瞬态下后向Stokes模增益系数的表达式，并研究了压电性的依赖性，磁场和泵浦脉冲宽度对其生长速率的影响。估计了瞬态CBS发生的阈值泵浦强度和最佳脉冲持续时间。压电性和外加磁场大大提高了III-V半导体中的瞬态CBS增益系数，这在散射脉冲压缩中非常有用。

引用于1文件

MSC公司：

82天37分 半导体统计力学
82D40型 磁性材料的统计力学
82D10号 等离子体统计力学
76A05型 非牛顿流体
第78页第45页 衍射、散射

关键词：

受激布里渊散射;稳态和瞬态增益系数;静磁场;压电性;电致伸缩和III-V半导体
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{M.Singh}等人，修改。物理学。莱特。B 21，编号10，603--614（2007；Zbl 1144.82364）
全文： 内政部

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