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Kushwaha，M.S。;贾法里·鲁哈尼，B。

二维半导体结构中等离子体子的格林函数理论：有限磁场。 （英语） Zbl 0948.76094号

安·物理。 265，第1期，1-51页（1998年）.
在格林函数理论的框架下，研究了磁场中几个二维半导体结构中的磁等离子体激发。假设磁场平行于界面，垂直于传播方向（Voigt几何）。材料层以频率相关的介电函数为特征，忽略了量子尺寸效应。作者推导了电磁场响应函数的显式表达式。研究表明，以前公认的结果可以用这个理论重现，并且Voigt几何中的激发光谱包含一个磁场相关的间隙，磁等离子体不能在其中传播。
审核人：Vyacheslav S.Titov（佩雷斯拉夫·扎莱斯基）

MSC公司：

76X05型 电磁场中的电离气体流动；浆状流
82天37分 半导体统计力学

关键词：

二维半导体结构;Voigt几何;磁等离子体激发;格林函数理论;频率相关介电函数;响应函数
PDF格式BibTeX公司 XML格式引用
\textit{M.S.Kushwaha}和\textit{B.Djafari-Rouhani}，Ann.Phys。265，编号1，1--51（1998；Zbl 0948.76094）
全文： 内政部

参考文献：

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