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郝国栋;陈，Y.H。

（A）和（R）平面中应变纤锌矿GaN的平面内光学各向异性。 （英语） Zbl 1213.82099号

国际期刊修订版。物理学。B类 24，第27号，5439-5450（2010）.
摘要：基于（mathbf k\cdot\mathbf p）理论，利用任意方向纤锌矿半导体的有效质量哈密顿量，研究了应变对GaN半极性和非极性平面光学各向异性的影响。光学矩阵元素是针对任意方向制定的，并针对（A）和（R）平面进行计算。研究发现，在（A）和（R）平面上出现了巨大的光学各向异性，双轴应变显著改变了偏振特性。

MSC公司：

82天37分 半导体统计力学
82B20型 格系统（伊辛、二聚体、波茨等）和平衡统计力学中出现的图上系统

关键词：

应变效应;光学各向异性;\（A\）-平面;\（R\）-平面
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\textit{G.-D.Hao}和textit{Y.H.Chen}，国际期刊Mod。物理学。乙24，第27号，5439--5450（2010；Zbl 1213.82099）
全文： DOI程序

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