图10

a） 不同入射光功率下的输出特性。插图：基于少层MoTe的P（VDF‐TrFE）顶栅FET的示意结构₂被激光照亮。b） 用指数函数拟合光电流的上升时间和下降时间曲线。经许可复制。⁷⁵版权所有2016，皇家化学学会。c） 曲线我 _ds公司–V（V） _ds公司以O为单位测量₂或在黑暗或红光照明下的空气。插图：ReSe的示意结构₂基于光电探测器。d） O中光响应的上升时间和下降时间₂环境。经许可复制。⁸⁸版权所有2014，皇家化学学会。e） 我–V（V）用633 nm光（20 mW cm）照射光电探测器的曲线⁻²)在不同的条件下。插图：Mo:ReSe的示意结构₂基于FET。f） NH中633nm光照下光响应的上升时间和下降时间_三环境。经许可复制。¹²⁰作者版权所有2014，根据CC‐BY‐4.0许可证出版。