Notch1b是维持祖细胞分裂和命运所必需的。(A类)的示意图缺口1b-MO击倒实验：在荧光标记物电穿孔后2天和5天对大脑进行分析缺口1b-大脑皮层心室细胞中的MO或对照-MO。(B类，C类)电穿孔（荧光素阳性）（绿色）RG（抗GS）（品红色）的增殖状态（抗MCM5）（蓝色）分析，在电穿孔后5天通过免疫细胞化学评估。箭头表示RG增殖，通常缺口1b-MO-阴性。(D类)MO靶向人群中MCM5阳性、GS阳性细胞的比例，2天(P（P）=0.05）和5天(**P（P）<0.001）电穿孔后(n个=每种情况下3个大脑）。(E类)中的命运分析示意图缺口1b-MO击倒实验：在苍白脑室细胞电穿孔荧光标记的notch1b-MO或对照-MO后2天，施加BrdU脉冲。大脑会立即或在3天的追踪后进行分析。(F类，G公司)电穿孔（荧光素阳性）（绿色，箭头）RG（抗GS）（品红色）中BrdU标记（白色）的分析，在3天追踪后通过免疫细胞化学进行评估。箭头指示对照MO（神经胶质细胞F）和缺口1b-MO（G）。(H（H）)MO目标人群中2天内BrdU阳性、GS阳性细胞的比例(P（P）=0.05）和5天(**P（P）<0.001）电穿孔后(n个=每种情况下3个大脑）。(我)类型I（GS阳性，MCM5阴性）、类型II（GS正，MCM5+阳性）、类型III（GS阴性，MCM5-+阳性）和非前体细胞（GS负，MCM5-阴性）的比例[可能是神经元，它们实际上构成了从大脑皮层GZ生成的唯一非前体电池类型(Chapouton等人，2010年;Rothenaigner等人，2011年)]电穿孔后5天，BrdU阳性MO靶向人群（II型，神经元：**P（P）<0.001) (n个=每种情况下3个大脑）。比例尺：10μm。来自四个光学平面的共焦投影图像，每个光学平面的厚度为0.5μm。
