图4。

低和高-不适用_o个LTCC。(A类)之前低活性LTCC的典型细胞附加记录(左侧)以及之后(赖特)使用200 nM PDBu（-70 mV；20 mM Ca²⁺). 虚线表示全电导单通道电流水平。这些轨迹右侧的图表绘制了平均值±SEM通用电源_o个PDBu前后的低活性和高活性LTCC。(B类)控制条件下高活性LTCC通道的典型细胞附加LTCC记录(左侧)以及在200nM双吲哚甲酰亚胺（BIM）之后(赖特). 条形图显示平均值±SEM不适用_o个BIM前后的高活性LTCC。