电流诱导磁横畴壁动力学中的钉扎效应研究了in纳米带在新型磁存储器件中的潜在应用。在在本研究中，我们通过求解广义Landau-Lifshitz进行了一系列计算在一维和二维模型中包含电流自旋转移转矩的方程。纳米带中横壁脱钉的临界电流取决于尺寸纳米带边缘的人造矩形缺陷。我们表明存在内在的缺陷的钉扎电势，使得横壁在周围阻尼振荡当外加电流低于临界值时，钉扎点具有固有频率。位移和最大值下横壁振动的放大通过使用适当的交流电流和电流脉冲，$m_3$的值非常重要频率。我们表明，对于给定的钉扎势，振荡振幅交流电流频率的函数在我们的数值研究，有助于降低电流强度以驱动横向壁运动。