用X射线衍射形貌术研究了邻苯二甲酸氢铊（TAP）（010）和（001）晶体中的缺陷。实验结果表明，两种位错，螺旋位错和普通位错，都以出乎意料的高密度分布，并且几乎垂直于（001）面，通过提供自我永存的生长台阶或生长中心，在提高TAP（001）面的生长率方面起着重要作用，与同一家族的KAP（邻苯二甲酸氢钾）和RAP（邻苯二甲酸氢铷）晶体相比，（001）表面的生长速率最低。螺旋位错产生美丽的“白色”Borrmann图像，其对比度随着试样厚度和Borrmanm系数的减小而减小。当从“白色”到“黑色”的对比度发生反转时，图像会失去精细的螺旋细节。
