采用X射线多重衍射技术研究了砷浓度约为10时引入对单晶锗晶格的影响20原子厘米-3.检查了两个电阻率相似的样品:一个样品中引入了砷通过直拉法生长期间的熔体,以及生长后砷扩散到其中的熔体。X射线荧光光谱显示,后者的砷浓度是“合金”的两到三倍。Ge-As合金在25°C时的晶格参数为5.65795 Au,As-扩散Ge的晶格参数是5.65820 Au,而纯Ge的测定结果是5.65750 Au,实验误差为±0.00003 Au。此外,还发现As-diffixed样品显示出比合金更高程度的非均匀应变。简要讨论了砷浓度与锗晶格的膨胀和应变含量之间的可能相关性。