能量色散衍射谱中Si（Li）探测器引起逃逸峰的证据

B.伯拉斯,J.S.奥尔森,A.L.安徒生,L.Gerward先生和B.销售标记

硅的外观和识别K（K）报道了能量色散X射线衍射谱中的α逃逸峰。

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能量色散光谱法在单晶X射线衍射中的应用

B.伯拉斯,J.S.奥尔森,L.Gerward先生,B.自拍和A.L.安徒生

介绍并研究了两种单晶能量色散晶体学方法（固定晶体法和旋转晶体法）。导出了镶嵌和完美单晶的积分强度公式。给出了一个理想锗晶体的实验结果以及测量和计算的积分强度的比较。讨论了这些方法的特点和可能的应用。

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用能量色散X射线衍射法测定内部应变张量：硅的006禁止反射结果

C.S.G.堂兄弟,L.Gerward先生,J.斯塔恩·奥尔森,B.自拍和B.J.谢尔顿

具有金刚石结构的晶体的内部应变张量具有单个独立分量 ${\bar A}$ .A值 ${\bar A}$ 通过沿[1施加应力时观察006禁止反射，发现硅的=-0.18±0.01 ${\bar 1}$ 0]轴。使用能量色散方法，以便利用同时存在的强反射（004和008），以精确对准样品，并使强度测量标准化。在研究过程中，发现强反射强度随着应力的增加而增加，这表明晶体正在经历从理想完美状态到理想不完美状态的可逆变化。

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X射线能量色散衍射仪中入射光束对积分强度的影响

J.S.奥尔森,B.Buras公司,T.延森,O.阿尔斯特鲁普,L.Gerward先生和B.自拍

报道了由厚铜和钨阳极产生的初级X射线束的偏振测量，并在考虑初级光束偏振的情况下，导出了能量色散衍射法中布拉格反射积分强度的公式。研究发现，当散射面与含有电子束和初级束的平面之间的夹角为45°时，极化的影响消失，而当夹角从45°变为0或90°时，其影响增大。对于后一个值，在高光子能量和接近90°的散射角下，偏振的影响相当大。

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能量色散衍射谱中Si（Li）探测器引起逃逸峰的证据

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