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J.应用。
克里斯特。
(1998).
31
,
554-558
https://doi.org/10.1107/S021889897019559
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用改进的Williamson-Hall和Warren-Averach程序测定电沉积纳米晶镍中的位错和晶粒尺寸
T.Ungár
,
Á.
雷夫塞兹
和
A.博贝里
考虑到各向异性位错对比,通过纳米晶Ni中存在位错来解释根方应变。
由于应变加宽的适当反褶积,获得了与TEM一致的晶粒和相干畴尺寸。
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J.应用。
克里斯特。
(1999).
32
,
992-1002
https://doi.org/10.107/S0021889899009334
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立方晶体中位错的对比因素:实际应变各向异性的位错模型
T.Ungár
,
I.德拉戈米尔
,
Á.
雷夫塞兹
和
A.博贝里
在应变各向异性的位错模型中,位错的对比因子起着最重要的作用。
在无纹理立方多晶体或粉末中,对比因子仅是两个参数的函数,这两个参数是针对广泛的弹性常数编译的。
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