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发现了Renninger,M.的12条引文。

搜索勒宁格,M。世界结晶学家名录

结果1到12,按名称排序:


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对薄理想晶体的衍射图样进行了双衍射验证。在这种情况下,衍射图样应伴有等倾的“彭德尔松”条纹。由于难以在不发生晶格弯曲的情况下制备必要的极小厚度的晶片,因此无法直接达到这一目标。但从照片上看,预期的条纹在5到2之间的硅片的双衍射拓扑图上显示为“等方位”条纹μ厚度,不仅在劳厄情况下,而且在布拉格情况下。这是彭德尔松在布拉格案件中的首次观察。

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M.伦宁格und(单位)W.泰斯
报道了一个由化学蚀刻坑和X射线形貌观察到的14 mm直径硅片中位错的一一对应的例子。

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硅晶体圆盘划痕的X射线形貌研究给出了以下结果。每个划痕的损伤场由三个不同类型变形的区域组成,并且在宽度和深度上超过了沟槽尺寸几个数量级。每个划痕周围都存在2.10量级的压缩应变千分之一-2归因于微塑性变形。未观察到划痕速度对由此产生的损伤的影响。刮削工具在运动中的“压痕”动作比“犁削”动作更有效地产生损伤。

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在Bragg和Laue两种情况下,都记录了由不同厚度的完美硅晶体薄片以不同衍射级产生的包含Pendellösung振荡的衍射图案。所获得的曲线与根据动力学理论计算的曲线的一致性被认为足以推导出相应结构因子的值。对于硅422,该值(f)0=6.81±0.05。

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描述了一种X射线形貌的双衍射方法,该方法通过相对较低的显示器显示出as-grown硅中最小的晶体缺陷。

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原始论文的主张[Renninger(1976)]。J.应用。克里斯特。 9,178-180]全部的涡流缺陷可以通过提出的方法进行检测,但目前尚待改进。

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