利用光学和干涉显微镜、X射线形貌术、扫描和透射电子显微镜对黄玉晶体进行了研究。大多数样品显示出近乎完美的区域，位错密度约为102厘米-2周围是高度缺陷的窄边缘，包含位错（密度~107厘米-2低角度边界、网络和平面断层。通过衍射对比实验确定了晶体两个区域中观察到的位错的Burgers矢量，并详细考虑了其他缺陷的性质。讨论了缺陷与轮辋异常光学性能的相关性。黄玉（001）截面中的蚀坑和位错之间存在直接关系，并且有证据表明，螺旋位错甚至具有明显螺旋成分的位错都不需要形成曲底坑。解释了卷底坑的起源。结果表明，边缘位错密度的突然增加是由于生长层中的局部内应力引起的位错非均匀形核，而生长过程中杂质浓度的增加对这些内应力造成了毒害。
